| 759161 | K4F170412D | RAM dinamică CMOS 4M x 4Bit cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759162 | K4F170412D-B | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759163 | K4F170412D-F | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759164 | K4F170811D | RAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759165 | K4F170811D-B | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759166 | K4F170811D-F | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759167 | K4F170812D | RAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759168 | K4F170812D-B | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759169 | K4F170812D-F | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759170 | K4F171611D | RAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759171 | K4F171611D-J | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759172 | K4F171611D-T | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759173 | K4F171612D | RAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759174 | K4F171612D-J | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759175 | K4F171612D-T | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759176 | K4F640412D | RAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759177 | K4F640412D-JC_L | 16M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 4K refresh ciclu. | Samsung Electronic |
| 759178 | K4F640412D-TC_L | 16M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 4K refresh ciclu. | Samsung Electronic |
| 759179 | K4F640811B | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759180 | K4F640811B-JC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
| 759181 | K4F640811B-JC-50 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 759182 | K4F640811B-JC-60 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 759183 | K4F640811B-TC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
| 759184 | K4F640811B-TC-50 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 759185 | K4F640811B-TC-60 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 759186 | K4F640812D | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759187 | K4F640812D-JC_L | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 4K refresh ciclu. | Samsung Electronic |
| 759188 | K4F640812D-TC_L | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 4K refresh ciclu. | Samsung Electronic |
| 759189 | K4F641612B | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759190 | K4F641612B-L | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759191 | K4F641612B-TC | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759192 | K4F641612B-TC45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 759193 | K4F641612B-TC50 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759194 | K4F641612B-TC60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 759195 | K4F641612B-TL45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns, de putere mică | Samsung Electronic |
| 759196 | K4F641612B-TL50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 50ns, de putere mică | Samsung Electronic |
| 759197 | K4F641612B-TL60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns, de putere mică | Samsung Electronic |
| 759198 | K4F641612C | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759199 | K4F641612C-L | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759200 | K4F641612C-TC | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
