| 759201 | K4F641612C-TC45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 759202 | K4F641612C-TC50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 759203 | K4F641612C-TC60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 759204 | K4F641612C-TL45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns, de putere mică | Samsung Electronic |
| 759205 | K4F641612C-TL50 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759206 | K4F641612C-TL60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns, de putere mică | Samsung Electronic |
| 759207 | K4F660411D, K4F640411D | RAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759208 | K4F660412D | RAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759209 | K4F660412D, K4F640412D | RAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759210 | K4F660412D, K4F640412D | RAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759211 | K4F660412D-JC_L | 16M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 8K refresh ciclu. | Samsung Electronic |
| 759212 | K4F660412D-TC_L | 16M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 8K refresh ciclu. | Samsung Electronic |
| 759213 | K4F660412E, K4F640412E | RAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759214 | K4F660412E, K4F640412E | RAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759215 | K4F660811B | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759216 | K4F660811B-JC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
| 759217 | K4F660811B-JC-50 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 759218 | K4F660811B-JC-60 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 759219 | K4F660811B-TC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
| 759220 | K4F660811B-TC-50 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 759221 | K4F660811B-TC-60 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 759222 | K4F660811D, K4F640811D | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759223 | K4F660812D | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759224 | K4F660812D, K4F640812D | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759225 | K4F660812D, K4F640812D | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759226 | K4F660812D-JC_L | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 8K refresh ciclu. | Samsung Electronic |
| 759227 | K4F660812D-TC_L | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. 3.3V, 8K refresh ciclu. | Samsung Electronic |
| 759228 | K4F660812E, K4F640812E | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759229 | K4F660812E, K4F640812E | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759230 | K4F661611D, K4F641611D | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu foaie de date în modul pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759231 | K4F661612B | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759232 | K4F661612B-L | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759233 | K4F661612B-TC | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759234 | K4F661612B-TC45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 759235 | K4F661612B-TC50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 759236 | K4F661612B-TC60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 759237 | K4F661612B-TL45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns, de putere mică | Samsung Electronic |
| 759238 | K4F661612B-TL50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 50ns, de putere mică | Samsung Electronic |
| 759239 | K4F661612B-TL60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns, de putere mică | Samsung Electronic |
| 759240 | K4F661612C | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
