| 758961 | K4E160412D-F | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758962 | K4E160811D | RAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 758963 | K4E160811D-B | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758964 | K4E160811D-F | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758965 | K4E160812D | RAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 758966 | K4E160812D-B | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758967 | K4E160812D-F | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758968 | K4E170411D | RAM dinamică CMOS 4M x 4Bit cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 758969 | K4E170411D-B | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758970 | K4E170411D-F | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758971 | K4E170412D | RAM dinamică CMOS 4M x 4Bit cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 758972 | K4E170412D-B | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758973 | K4E170412D-F | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758974 | K4E170811D | RAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 758975 | K4E170811D-B | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758976 | K4E170811D-F | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758977 | K4E170812D | RAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 758978 | K4E170812D-B | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758979 | K4E170812D-F | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758980 | K4E171611D | RAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 758981 | K4E171611D-J | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758982 | K4E171611D-T | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758983 | K4E171612D | RAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 758984 | K4E171612D-J | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758985 | K4E171612D-T | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 758986 | K4E640412D | RAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 758987 | K4E640412D-JC_L | 16M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. 3.3V, 4K refresh ciclu. | Samsung Electronic |
| 758988 | K4E640412D-TC_L | 16M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. 3.3V, 4K refresh ciclu. | Samsung Electronic |
| 758989 | K4E640812B | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 758990 | K4E640812B-JC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns | Samsung Electronic |
| 758991 | K4E640812B-JC-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns | Samsung Electronic |
| 758992 | K4E640812B-JC-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns | Samsung Electronic |
| 758993 | K4E640812B-JCL-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns | Samsung Electronic |
| 758994 | K4E640812B-JCL-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns | Samsung Electronic |
| 758995 | K4E640812B-JCL-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns | Samsung Electronic |
| 758996 | K4E640812B-TC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns | Samsung Electronic |
| 758997 | K4E640812B-TC-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns | Samsung Electronic |
| 758998 | K4E640812B-TC-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns | Samsung Electronic |
| 758999 | K4E640812B-TCL-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns | Samsung Electronic |
| 759000 | K4E640812B-TCL-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns | Samsung Electronic |
