|
K4F170811D-B este fabricat de:
|
| 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: K4F160811D-B, K4F160811D-F, K4F160812D-B, K4F160812D-F, K4F170812D-B |
Downloadează sau descarcă K4F170811D-B datasheet de la Samsung Electronic |
pdf 228 kb |
| K4F170811D | Vezi K4F170811D-B în catalogul nostru | K4F170811D-F |