|
K4F171611D-J este fabricat de:
|
| 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: K4F151611D-J, K4F151611D-T, K4F151612D-J, K4F151612D-T, K4F171612D-J |
Downloadează sau descarcă K4F171611D-J datasheet de la Samsung Electronic |
pdf 527 kb |
| K4F171611D | Vezi K4F171611D-J în catalogul nostru | K4F171611D-T |