| 759121 | K4EBP-110V-1 | K-releu. Design unic releu. 4 formă de tensiune C. Coil 110 V DC. Terminal de bord PC. Releu sensibil obișnuit. Amber sigilate tip. | Matsushita Electric Works(Nais) |
| 759122 | K4F151611 | RAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759123 | K4F151611D | RAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759124 | K4F151611D-J | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 1K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759125 | K4F151611D-T | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 1K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759126 | K4F151612D | RAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759127 | K4F151612D-J | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 1K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759128 | K4F151612D-T | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 1K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759129 | K4F16(7)0811(2)D | RAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu foaie de date în modul pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759130 | K4F160411C-B50 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 759131 | K4F160411C-B60 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 759132 | K4F160411C-F50 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 759133 | K4F160411C-F60 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 759134 | K4F160411D | RAM dinamică CMOS 4M x 4Bit cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759135 | K4F160411D-B | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759136 | K4F160411D-F | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759137 | K4F160412C-B50 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 759138 | K4F160412C-B60 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 759139 | K4F160412C-F50 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 759140 | K4F160412C-F60 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 759141 | K4F160412D | RAM dinamică CMOS 4M x 4Bit cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759142 | K4F160412D-B | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759143 | K4F160412D-F | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759144 | K4F160811D | RAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759145 | K4F160811D-B | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759146 | K4F160811D-F | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759147 | K4F160812D | RAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759148 | K4F160812D-B | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759149 | K4F160812D-F | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759150 | K4F170411C-B50 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 759151 | K4F170411C-B60 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 759152 | K4F170411C-F50 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
| 759153 | K4F170411C-F60 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
| 759154 | K4F170411D | RAM dinamică CMOS 4M x 4Bit cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 759155 | K4F170411D-B | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759156 | K4F170411D-F | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu modul de pagina de rapid. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. | Samsung Electronic |
| 759157 | K4F170412C-B50 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 759158 | K4F170412C-B60 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 759159 | K4F170412C-F50 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 759160 | K4F170412C-F60 | 4M x 4 biți CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
