|
K4E171612D-J este fabricat de:
|
| 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: K4E151611D-J, K4E151611D-T, K4E151612D-J, K4E151612D-T, K4E171611D-J |
Downloadează sau descarcă K4E171612D-J datasheet de la Samsung Electronic |
pdf 552 kb |
| K4E171612D | Vezi K4E171612D-J în catalogul nostru | K4E171612D-T |