K4E171612D-T este fabricat de:
|
1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: K4E151611D-J, K4E151611D-T, K4E151612D-J, K4E151612D-T, K4E171611D-J |
Downloadează sau descarcă K4E171612D-T datasheet de la Samsung Electronic |
pdf 552 kb |
K4E171612D-J | Vezi K4E171612D-T în catalogul nostru | K4E640412D |