| Nr. | Nume | Descriere |
|---|
| 501 | K4D553238F-JC | SDRAM GDDR de 256Mbit |
| 502 | K4D553238F-JC2A | SDRAM GDDR de 256Mbit |
| 503 | K4D553238F-JC33 | SDRAM GDDR de 256Mbit |
| 504 | K4D553238F-JC36 | SDRAM GDDR de 256Mbit |
| 505 | K4D553238F-JC40 | SDRAM GDDR de 256Mbit |
| 506 | K4D553238F-JC50 | SDRAM GDDR de 256Mbit |
| 507 | K4D623237 | 512K x 32Bit x 4 Bănci Rată de date dublă Foaie de date DRAM sincronă |
| 508 | K4D623238B-G(Q)C | 512K x 32Bit x 4 Bănci Rată de date dublă RAM sincronă cu foaie de date extinsă de ieșire de date |
| 509 | K4D623238B-GC | SDRAM DDR 64Mbit |
| 510 | K4D623238B-GC/L33 | SDRAM DDR 64Mbit |
| 511 | K4D623238B-GC/L40 | SDRAM DDR 64Mbit |
| 512 | K4D623238B-GC/L45 | SDRAM DDR 64Mbit |
| 513 | K4D623238B-GC/L50 | SDRAM DDR 64Mbit |
| 514 | K4D623238B-GC/L55 | SDRAM DDR 64Mbit |
| 515 | K4D623238B-GC/L60 | SDRAM DDR 64Mbit |
| 516 | K4D64163HF | 1M x 16Bit x 4 Bănci DRAM sincron cu viteză de date dublă |
| 517 | K4D64163HF-TC33 | 1M x 16Bit x 4 Bănci DRAM sincron cu viteză de date dublă |
| 518 | K4D64163HF-TC36 | 1M x 16Bit x 4 Bănci DRAM sincron cu viteză de date dublă |
| 519 | K4D64163HF-TC40 | 1M x 16Bit x 4 Bănci DRAM sincron cu viteză de date dublă |
| 520 | K4D64163HF-TC50 | 1M x 16Bit x 4 Bănci DRAM sincron cu viteză de date dublă |
| 521 | K4D64163HF-TC60 | 1M x 16Bit x 4 Bănci DRAM sincron cu viteză de date dublă |
| 522 | K4E151611 | RAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu ieșire extinsă de date |
| 523 | K4E151611D | RAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu ieșire extinsă de date |
| 524 | K4E151611D-J | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 1K ciclu de reîmprospătare. |
| 525 | K4E151611D-T | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 1K ciclu de reîmprospătare. |
| 526 | K4E151612D | RAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu ieșire extinsă de date |
| 527 | K4E151612D-J | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 1K ciclu de reîmprospătare. |
| 528 | K4E151612D-T | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 1K ciclu de reîmprospătare. |
| 529 | K4E16(7)0411(2)D | RAM dinamică CMOS 4M x 4Bit cu fișă tehnică extinsă de ieșire de date |
| 530 | K4E16(7)0811(2)D | RAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu fișă tehnică extinsă de ieșire de date |
| 531 | K4E160411D | RAM dinamică CMOS 4M x 4Bit cu ieșire extinsă de date |
| 532 | K4E160411D-B | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. |
| 533 | K4E160411D-F | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. |
| 534 | K4E160412D | RAM dinamică CMOS 4M x 4Bit cu ieșire extinsă de date |
| 535 | K4E160412D-B | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. |
| 536 | K4E160412D-F | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. |
| 537 | K4E160811D | RAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu ieșire extinsă de date |
| 538 | K4E160811D-B | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. |
| 539 | K4E160811D-F | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. |
| 540 | K4E160812D | RAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu ieșire extinsă de date |
| 541 | K4E160812D-B | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. |
| 542 | K4E160812D-F | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 2K ciclu de reîmprospătare. |
| 543 | K4E170411D | RAM dinamică CMOS 4M x 4Bit cu ieșire extinsă de date |
| 544 | K4E170411D-B | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. |
| 545 | K4E170411D-F | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. |
| 546 | K4E170412D | RAM dinamică CMOS 4M x 4Bit cu ieșire extinsă de date |
| 547 | K4E170412D-B | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. |
| 548 | K4E170412D-F | 4M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. |
| 549 | K4E170811D | RAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu ieșire extinsă de date |
| 550 | K4E170811D-B | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. |
| 551 | K4E170811D-F | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. |
| 552 | K4E170812D | RAM dinamică CMOS 2M x 8Bit cu ieșire extinsă de date |
| 553 | K4E170812D-B | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. |
| 554 | K4E170812D-F | 2M x 8 biți CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. |
| 555 | K4E171611D | RAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu ieșire extinsă de date |
| 556 | K4E171611D-J | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. |
| 557 | K4E171611D-T | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. |
| 558 | K4E171612D | RAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu ieșire extinsă de date |
| 559 | K4E171612D-J | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. |
| 560 | K4E171612D-T | 1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. De alimentare de 3.3V tensiune, 4K ciclu de reîmprospătare. |
| 561 | K4E640412D | RAM dinamică CMOS de 16M x 4 biți cu ieșire extinsă de date |
| 562 | K4E640412D-JC_L | 16M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. 3.3V, 4K refresh ciclu. |
| 563 | K4E640412D-TC_L | 16M x 4 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. 3.3V, 4K refresh ciclu. |
| 564 | K4E640812B | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu ieșire extinsă de date |
| 565 | K4E640812B-JC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns |
| 566 | K4E640812B-JC-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns |
| 567 | K4E640812B-JC-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns |
| 568 | K4E640812B-JCL-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns |
| 569 | K4E640812B-JCL-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns |
| 570 | K4E640812B-JCL-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns |
| 571 | K4E640812B-TC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns |
| 572 | K4E640812B-TC-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns |
| 573 | K4E640812B-TC-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns |
| 574 | K4E640812B-TCL-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns |
| 575 | K4E640812B-TCL-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns |
| 576 | K4E640812B-TCL-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns |
| 577 | K4E640812C | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu ieșire extinsă de date |
| 578 | K4E640812C-JC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns |
| 579 | K4E640812C-JC-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns |
| 580 | K4E640812C-JC-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns |
| 581 | K4E640812C-JCL-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns |
| 582 | K4E640812C-JCL-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns |
| 583 | K4E640812C-JCL-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns |
| 584 | K4E640812C-TC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns |
| 585 | K4E640812C-TC-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns |
| 586 | K4E640812C-TC-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns |
| 587 | K4E640812C-TCL-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns |
| 588 | K4E640812C-TCL-5 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns |
| 589 | K4E640812C-TCL-6 | 8M x 8bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns |
| 590 | K4E640812E | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu ieșire extinsă de date |
| 591 | K4E640812E-JC/L | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu ieșire extinsă de date |
| 592 | K4E640812E-TC/L | RAM dinamică CMOS de 8M x 8 biți cu ieșire extinsă de date |
| 593 | K4E641612B | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date |
| 594 | K4E641612B-L | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date |
| 595 | K4E641612B-TC | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date |
| 596 | K4E641612B-TC45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 45ns |
| 597 | K4E641612B-TC50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 50ns |
| 598 | K4E641612B-TC60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 60ns |
| 599 | K4E641612B-TL45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 45ns, consum redus de energie |
| 600 | K4E641612B-TL50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 50ns, consum redus de energie |
| | |
