K4E151611D-J este fabricat de:
|
1m x 16 bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out. Aprovizionare 5V tensiune, 1K ciclu de reîmprospătare. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: K4E151612D-J, K4E151612D-T, K4E171611D-J, K4E171611D-T, K4E171612D-J |
Downloadează sau descarcă K4E151611D-J datasheet de la Samsung Electronic |
pdf 552 kb |
K4E151611D | Vezi K4E151611D-J în catalogul nostru | K4E151611D-T |