|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 36858 | 36859 | 36860 | 36861 | 36862 | 36863 | 36864 | 36865 | 36866 | 36867 | 36868 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1474481STH110N10F7-2N-canal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Putere MOSFET în H2PAK-2 pachetST Microelectronics
1474482STH110N10F7-6N-canal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Putere MOSFET în H2PAK-6 pachetST Microelectronics
1474483STH12N120K5-2N-canal 1200 V, 0,58 Ohm typ., Protejat de un Zener 12 A SuperMESH (TM) MOSFET de putere în 5 H2PAK-2 pachetST Microelectronics
1474484STH12NA60N - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALULUI TRANSISTOR MOS PUTERE RAPIDĂSGS Thomson Microelectronics
1474485STH12NA60FIN - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALULUI TRANSISTOR MOS PUTERE RAPIDĂSGS Thomson Microelectronics
1474486STH12NA60FIPRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARESGS Thomson Microelectronics
1474487STH12NA60FIPRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1474488STH130N10F3-2N-canal 100 V, 7,8 mOhm typ., 120 A STripFET (TM) MOSFET de putere în H2PAK-2 pachetST Microelectronics
1474489STH13NB60N - CANAL 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247 / ISOWATT218 MOSFET PowerMESHST Microelectronics
1474490STH13NB60FIN - CANAL 600V - 0.48W - 13A - TO-247 / ISOWATT218 MOSFET PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1474491STH13NB60FIN-CHANNEL 600V - 0.48 OHM - 13A - TO-247 / ISOWATT218 MOSFET POWERMESHST Microelectronics
1474492STH140N8F7-2N-canal 80 V, 3,3 mOhm typ., 90 A MOSFET STripFET F7 de putere în H2PAK-2 pachetST Microelectronics
1474493STH150N10F7-2N-canal 100 V, 0,0038 Ohm typ., 90 A MOSFET STripFET F7 de putere în H2PAK-2 pachetST Microelectronics
1474494STH15NA50N - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALULUI TRANSISTOR MOS PUTERE RAPIDĂSGS Thomson Microelectronics
1474495STH15NA50FIN - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALULUI TRANSISTOR MOS PUTERE RAPIDĂSGS Thomson Microelectronics
1474496STH15NA50FIPRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARESGS Thomson Microelectronics
1474497STH15NA50FIPRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1474498STH15NB50FIN-CHANNEL 500V - 0.33W - 14.6A -T0- 247 / ISOWATT218 MOSFET PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1474499STH15NB50FIMOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A N-CANALULUI TRANSISTOR MOS PUTERE ÎNCĂRCAT PUTERESGS Thomson Microelectronics
1474500STH15NB50FIMOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A N-CANALULUI TRANSISTOR MOS PUTERE ÎNCĂRCAT PUTEREST Microelectronics
1474501STH16NA40FIN - CANAL 400V - 0.21W - 16A - TO-247 / ISOWATT218 TRANSISTORI MOS PUTERESGS Thomson Microelectronics
1474502STH16NA40FIPRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARESGS Thomson Microelectronics
1474503STH16NA40FIPRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1474504STH180N10F3-2N-canal 100 V, 3,9 mOhm, 180 A STripFET (TM) III Putere MOSFET H2PAK-2ST Microelectronics
1474505STH180N10F3-6N-canal 100 V, 3,9 mOhm, 180 A, H2PAK-6 STripFET (TM) III Putere MOSFETST Microelectronics
1474506STH185N10F3-2Automotive-calitate N-canal 100 V, 3,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III Putere MOSFET H2PAK-2 pachetST Microelectronics
1474507STH18NB40N-CHANNEL 400V 0.19 OHM 18.4A TO-247 / ISOWATT218 MOSFET POWERMESHST Microelectronics
1474508STH18NB40FIN-CHANNEL 400V - 0.19W - 18.4A TO-247 / ISOWATT218 MOSFET PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1474509STH18NB40FIN-CHANNEL 400V 0.19 OHM 18.4A TO-247 / ISOWATT218 MOSFET POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
1474510STH18NB40FIN-CHANNEL 400V 0.19 OHM 18.4A TO-247 / ISOWATT218 MOSFET POWERMESHST Microelectronics
1474511STH210N75F6-2N-canal 75 V, 0,0027 Ohm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de putere în H2PAK-2 pachetST Microelectronics
1474512STH240N10F7-2N-canal 100 V, 0,002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 de putere MOSFET într-un pachet H2PAK-2ST Microelectronics
1474513STH240N10F7-6N-canal 100 V, 0,002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 de putere MOSFET într-un pachet H2PAK-6ST Microelectronics
1474514STH240N75F3-2N-canal 75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III Putere MOSFET în H2PAK-2 pachetST Microelectronics
1474515STH240N75F3-6N-canal 75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III Putere MOSFET în H2PAK-6 pachetST Microelectronics
1474516STH245N75F3-6Automotive-calitate N-canal 75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A MOSFET STripFET F3 putere în H2PAK-6 pachetST Microelectronics
1474517STH250N55F3-6N-canal 55 V, 2,2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III Putere MOSFETST Microelectronics
1474518STH260N6F6-2N-canal 60 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de putere în H2PAK-2 pachetST Microelectronics
1474519STH260N6F6-6N-canal 60 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de putere în H2PAK-6 pachetST Microelectronics
1474520STH270N4F3-2N-canal 40 V, 1,4 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III Putere MOSFET în H2PAK-2 pachetST Microelectronics
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 36858 | 36859 | 36860 | 36861 | 36862 | 36863 | 36864 | 36865 | 36866 | 36867 | 36868 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com