|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 36859 | 36860 | 36861 | 36862 | 36863 | 36864 | 36865 | 36866 | 36867 | 36868 | 36869 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1474521STH270N4F3-6N-canal 40 V, 1,4 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III Putere MOSFET în H2PAK-6 pachetST Microelectronics
1474522STH270N8F7-2N-canal 80 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de putere în H2PAK-2 pachetST Microelectronics
1474523STH270N8F7-6N-canal 80 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de putere în H2PAK-6 pachetST Microelectronics
1474524STH300NH02L-6N-canal de 24 V, 0,95 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) MOSFET de putere într-un pachet H2PAK-6ST Microelectronics
1474525STH310N10F7-2N-canal 100 V, 1,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de putere în H2PAK-2 pachetST Microelectronics
1474526STH310N10F7-6N-canal 100 V, 1,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de putere în H2PAK-6 pachetST Microelectronics
1474527STH315N10F7-2Automotive-calitate N-canal 100 V, 2,1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Putere MOSFETST Microelectronics
1474528STH315N10F7-6Automotive-calitate N-canal 100 V, 2,1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Putere MOSFETST Microelectronics
1474529STH320N4F6-2N-canal 40 V, 1,1 mOhm typ., 200 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de putere în H2PAK-2 pachetST Microelectronics
1474530STH320N4F6-6N-canal 40 V, 1,1 mOhm typ., 200 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de putere în H2PAK-6 pachetST Microelectronics
1474531STH33N20MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE N-CANAL PUTERE TRANSISTOR MOSST Microelectronics
1474532STH33N20FIMOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE N-CANAL PUTERE TRANSISTOR MOSST Microelectronics
1474533STH360N4F6-2N-canal 40 V, 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de putere în H2PAK-2 pachetST Microelectronics
1474534STH3N150-2N-canal 1500 V, 6 Ohm typ., 2.5 A PowerMESH (TM) MOSFET de putere în H2PAK-2 pachetST Microelectronics
1474535STH400N4F6-2Automotive-calitate N-canal 40 V, 0,85 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de putere în H2PAK-2 pachetST Microelectronics
1474536STH400N4F6-6Automotive-calitate N-canal 40 V, 0,85 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de putere în H2PAK-6 pachetST Microelectronics
1474537STH4N90MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE N-CANAL PUTERE TRANSISTOR MOSST Microelectronics
1474538STH4N90MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE N-CANAL PUTERE TRANSISTOR MOSST Microelectronics
1474539STH4N90FIMOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE N-CANAL PUTERE TRANSISTOR MOSST Microelectronics
1474540STH51002ZLaser de 1300 nm în pachet TO CoaxialSiemens
1474541STH51004ALaser de 1300 nm în pachet coaxial cu SM-Pigtail, de mare putereSiemens
1474542STH51004GLaser de 1300 nm, de mare putereInfineon
1474543STH51004XLaser de 1300 nm în pachet coaxial cu SM-Pigtail, de mare putereSiemens
1474544STH51005ALaser de 1300 nm, de mare putereInfineon
1474545STH51005FLaser de 1300 nm, de mare putereInfineon
1474546STH51005GLaser de 1300 nm, de mare putereInfineon
1474547STH51005GE9243Laser de 1300 nm, de mare putereInfineon
1474548STH51005GE9302Laser de 1300 nm, de mare putereInfineon
1474549STH51005GE9415Laser de 1300 nm, de mare putereInfineon
1474550STH51005ILaser de 1300 nm, de mare putereInfineon
1474551STH51005IE9408Laser de 1300 nm, de mare putereInfineon
1474552STH51005NLaser de 1300 nm, de mare putereInfineon
1474553STH51005NE9205Laser de 1300 nm, de mare putereInfineon
1474554STH51005RE9302Laser de 1300 nm, de mare putereInfineon
1474555STH51005ZLaser de 1300 nm, de mare putereInfineon
1474556STH51005ZE9280Laser de 1300 nm, de mare putereInfineon
1474557STH5NA100N - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALULUI TRANSISTORI MOS PUTEREST Microelectronics
1474558STH5NA100FIN - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALELOR, TRANSISTORE PUTERE MOSSGS Thomson Microelectronics
1474559STH5NA90FIN - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALULUI TRANSISTORI MOS PUTERESGS Thomson Microelectronics
1474560STH60N10N - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALELOR PUTERE MOS TRANSISTORSGS Thomson Microelectronics
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 36859 | 36860 | 36861 | 36862 | 36863 | 36864 | 36865 | 36866 | 36867 | 36868 | 36869 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com