|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 36861 | 36862 | 36863 | 36864 | 36865 | 36866 | 36867 | 36868 | 36869 | 36870 | 36871 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1474601STH8NB90FIN-CHANNEL 900V - 1.1 OHM - 8A - TO-247 / ISOWATT218 MOSFET POWERMESHST Microelectronics
1474602STH9NA60FIN - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALULUI TRANSISTOR MOS PUTERE RAPIDĂSGS Thomson Microelectronics
1474603STH9NA60FIPRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARESGS Thomson Microelectronics
1474604STH9NA60FIPRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1474605STH9NA80N - CANAL 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247 / ISOWATT218 TRANSISTOR MOS DE PUTERE RAPIDĂST Microelectronics
1474606STH9NA80FIN - CANAL 800V - 0,85 Ohm - 9,1A - TO-247 / ISOWATT218 TRANSISTOR MOS DE PUTERE RAPIDĂSGS Thomson Microelectronics
1474607STH9NA80FIPRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PRODUS F: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARESGS Thomson Microelectronics
1474608STH9NA80FIPRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTAREST Microelectronics
1474609STHH2003CRRECTIFICATOR SECUNDAR DE FRECVENȚĂ MARESGS Thomson Microelectronics
1474610STHH2003CRRECTIFICATOR SECUNDAR DE FRECVENȚĂ ÎNALTĂST Microelectronics
1474611STHV748Quad ± 90 V, ± 2 A, 3/5 nivele, generator de impulsuri cu ultrasunete de mare vitezăST Microelectronics
1474612STHV748QTRQuad ± 90 V, ± 2 A, 3/5 nivele, generator de impulsuri cu ultrasunete de mare vitezăST Microelectronics
1474613STHV749Quad ± 90 V, ± 2 A, ± 4 A, 3-, 5-, 7-nivel RTZ, generator de impulsuri cu ultrasunete de mare vitezăST Microelectronics
1474614STHV749LQuad ± 90 V, ± 2 A, ± 4 A, 3-, 5-, 7-nivel RTZ, generator de impulsuri cu ultrasunete de mare vitezăST Microelectronics
1474615STHV800Octal ± 90 V, ± 2 A, 3-nivel RTZ, generator de impulsuri cu ultrasunete de mare vitezăST Microelectronics
1474616STHV800LOctal ± 90 V, ± 2 A, 3-nivel RTZ, generator de impulsuri cu ultrasunete de mare vitezăST Microelectronics
1474617STHVDAC-253MAntena Tuning CircuitST Microelectronics
1474618STHVDAC-253MF3Antena Tuning CircuitST Microelectronics
1474619STHVDAC-303De înaltă tensiune controler BST capacitateST Microelectronics
1474620STHVDAC-303C6De înaltă tensiune controler BST capacitateST Microelectronics
1474621STHVDAC-303F6De înaltă tensiune controler BST capacitateST Microelectronics
1474622STHVDAC-303IC6De înaltă tensiune controler BST capacitateST Microelectronics
1474623STHVDAC-303IF6De înaltă tensiune controler BST capacitateST Microelectronics
1474624STHVDAC-304MDe înaltă tensiune controler BST capacitateST Microelectronics
1474625STHVDAC-304MC3De înaltă tensiune controler BST capacitateST Microelectronics
1474626STHVDAC-304MF3De înaltă tensiune controler BST capacitateST Microelectronics
1474627STI10NM60NN-canal 600 V, 0,53 Ohm, 10 A, I2PAK MDmesh (TM) II Putere MOSFETST Microelectronics
1474628STI11NM80N-canal 800 V, 0,35 Ohm, 11 A MDmesh (TM) MOSFET de putere în I2PAKST Microelectronics
1474629STI12N65M5N-canal 650 V, 0,39 Ohm, 8,5 A MDmesh (TM) V Putere MOSFET I2PAKST Microelectronics
1474630STI13005-1De înaltă tensiune postul de comutare de putere NPN tranzistorST Microelectronics
1474631STI13005-HDe înaltă tensiune postul de comutare de putere NPN tranzistorST Microelectronics
1474632STI13NM60NN-canal 600 V, 0,28 Ohm typ., 11 A MDmesh (TM) II Putere MOSFET în pachet I2PAKST Microelectronics
1474633STI14NM50NN-canal 500 V, 0,28 Ohm, 12 A MDmesh (TM) II Putere MOSFET în pachet I2PAKST Microelectronics
1474634STI150N10F7N-canal 100 V, 0.0036 Ohm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de putere în pachet I2PAKST Microelectronics
1474635STI18N65M5N-canal 650 V, 0,198 Ohm typ., 15 A MDmesh (TM) V Putere MOSFET în pachet I2PAKST Microelectronics
1474636STI20N65M5N-canal 650 V, 0,160 Ohm typ., 18 A MDmesh (TM) V Putere MOSFET în pachet I2PAKST Microelectronics
1474637STI21N65M5N-canal 650 V, 0,150 Ohm, 17 A MDmesh (TM) V Putere MOSFET în I2PAKST Microelectronics
1474638STI24N60M2N-canal 600 V, 0,168 Ohm typ., 18 A MDmesh II Plus (TM) scăzut Qg Putere MOSFET în pachet D2PAKST Microelectronics
1474639STI24NM60NN-canal 600 V, 0,168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II Putere MOSFET I2PAKST Microelectronics
1474640STI260N6F6N-canal 60 V, 0,0024 Ohm, 120 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de putere în pachet I2PAKST Microelectronics
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 36861 | 36862 | 36863 | 36864 | 36865 | 36866 | 36867 | 36868 | 36869 | 36870 | 36871 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com