STH110N10F7-6 datasheet sau date tehnice în format pdf - N-canal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Putere MOSFET în H2PAK-6 pachet

| Prima pagină | Producători | După Funcție |

Salt rapid: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA

STH110N10F7-6 este fabricat de:

N-canal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Putere MOSFET în H2PAK-6 pachet

Downloadează sau descarcă STH110N10F7-6 datasheet de la
ST Microelectronics

pdf
696 kb

Vezi STH110N10F7-6 în catalogul nostru