1177921 | MTP33N10E | TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS (pornit) = 0,06 OHM | Motorola |
1177922 | MTP33N10E | SPP Power NChannel | ON Semiconductor |
1177923 | MTP33N10E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal N | ON Semiconductor |
1177924 | MTP36N06 | TMOS POWER FET 32 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,04 OHM | Motorola |
1177925 | MTP36N06V | TMOS POWER FET 32 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,04 OHM | Motorola |
1177926 | MTP36N06V | MOSFET de putere 32 Amperi, 60 Volți | ON Semiconductor |
1177927 | MTP36N06V-D | Putere MOSFET 32 Amperi, 60 volți N-Channel TO-220 | ON Semiconductor |
1177928 | MTP3N100 | N-canal TMOS putere FET. 1000 V, 3 A, Rds (on) 4 Ohm. | Motorola |
1177929 | MTP3N100E | TMOS POWER FET 3,0 AMPERI 1000 VOLȚI RDS (activat) = 4,0 OHM | Motorola |
1177930 | MTP3N100E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal N | ON Semiconductor |
1177931 | MTP3N120E | TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1200 VOLTS RDS (pornit) = 5,0 OHM | Motorola |
1177932 | MTP3N120E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal N | ON Semiconductor |
1177933 | MTP3N25E | TMOS POWER FET 3,0 AMPERI 250 VOLȚI RDS (pornit) = 1,4 OHM | Motorola |
1177934 | MTP3N35 | MOSFET-uri de putere N-Channel, 3,0 A, 350-400 V | Fairchild Semiconductor |
1177935 | MTP3N40 | MOSFET-uri de putere N-Channel, 3,0 A, 350-400 V | Fairchild Semiconductor |
1177936 | MTP3N50 | TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS (activat) = 3.0 OHMS | Motorola |
1177937 | MTP3N50E | TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS (activat) = 3.0 OHMS | Motorola |
1177938 | MTP3N50E | 3 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 500 | ON Semiconductor |
1177939 | MTP3N50E-D | TMOS E-FET Poartă din silicon de înaltă energie FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate | ON Semiconductor |
1177940 | MTP3N55 | Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin (3 + Tab) TO-220AB | New Jersey Semiconductor |
1177941 | MTP3N60 | Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin (3 + Tab) TO-220 | New Jersey Semiconductor |
1177942 | MTP3N60 | N - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALELOR PUTERE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
1177943 | MTP3N60 | PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARE | SGS Thomson Microelectronics |
1177944 | MTP3N60 | PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARE | ST Microelectronics |
1177945 | MTP3N60E | TMOS POWER FET 3,0 AMPERI 600 VOLȚI RDS (activat) = 2,2 OHMS | Motorola |
1177946 | MTP3N60E | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin (3 + Tab) TO-220 | New Jersey Semiconductor |
1177947 | MTP3N60E | 3 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 600 | ON Semiconductor |
1177948 | MTP3N60E-D | TMOS E-FET Poartă din silicon de înaltă energie FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate | ON Semiconductor |
1177949 | MTP3N60F1 | Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin (3 + Tab) ISOWATT220 | New Jersey Semiconductor |
1177950 | MTP3N60FI | N - MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE A CANALELOR PUTERE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
1177951 | MTP3N60FI | PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARE | SGS Thomson Microelectronics |
1177952 | MTP3N60FI | PRODUS VECHI: NU ESTE ADECVAT PENTRU NOUA PROIECTARE | ST Microelectronics |
1177953 | MTP40N10E | TMOS POWER FET 40 AMPERES 100 VOLTS RDS (pornit) = 0,04 OHM | Motorola |
1177954 | MTP40N10E | MOSFET de putere 40 amperi, 100 de volti | ON Semiconductor |
1177955 | MTP40N10E-D | MOSFET de putere 40 Amperi, 100 volți N-Channel TO-220 | ON Semiconductor |
1177956 | MTP45N05E | TRANSISTORI DE EFECT DE CÂMP DE PUTERE TMOS IV | Motorola |
1177957 | MTP4N08 | MOSFET-uri de putere N-Channel, 5,5 A, 60-100V | Fairchild Semiconductor |
1177958 | MTP4N08 | Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin (3 + Tab) Șină TO-220 | New Jersey Semiconductor |
1177959 | MTP4N10 | MOSFET-uri de putere N-Channel, 5,5 A, 60-100V | Fairchild Semiconductor |
1177960 | MTP4N10 | Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin (3 + Tab) Șină TO-220 | New Jersey Semiconductor |