MTP3N60E-D datasheet sau date tehnice în format pdf - TMOS E-FET Poartă din silicon de înaltă energie FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

| Prima pagină | Producători | După Funcție |

Salt rapid: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA

MTP3N60E-D este fabricat de:

TMOS E-FET Poartă din silicon de înaltă energie FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

Downloadează sau descarcă MTP3N60E-D datasheet de la
ON Semiconductor

PDF
190 kb

Vezi MTP3N60E-D în catalogul nostru