|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 29442 | 29443 | 29444 | 29445 | 29446 | 29447 | 29448 | 29449 | 29450 | 29451 | 29452 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1177841MTP20N06V-DPutere MOSFET 20 Amperi, 60 Volți N-Canal TO-220ON Semiconductor
1177842MTP20N08MOSFET-uri de putere N-Channel, 20 A, 60-100 VFairchild Semiconductor
1177843MTP20N10MOSFET-uri de putere N-Channel, 20 A, 60-100 VFairchild Semiconductor
1177844MTP20N10ETrans MOSFET N-CH 150V 20A 3-Pin (3 + Tab) Șină TO-220ABNew Jersey Semiconductor
1177845MTP20N15EMOSFET de putere 20 amperi, 150 de voltiON Semiconductor
1177846MTP20N15E-DPutere MOSFET 20 Amperi, 150 Volți N-Canal TO-220ON Semiconductor
1177847MTP20N20TMOS POWER FET 20 AMPERI 200 VOLȚI RDS (pornit) = 0,16 OHMMotorola
1177848MTP20N20ETMOS POWER FET 20 AMPERI 200 VOLȚI RDS (pornit) = 0,16 OHMMotorola
1177849MTP20N20EINVECHITE - MOSFET de putere 20 amperi, 200 de voltiON Semiconductor
1177850MTP20N20E-DPutere MOSFET 20 Amperi, 200 Volți N-Canal TO-220ON Semiconductor
1177851MTP23N05LDomeniul de putere Effect TransistorMotorola
1177852MTP23P06Domeniul de putere Effect TransistorMotorola
1177853MTP23P06VTMOS POWER FET 23 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0.120 OHMMotorola
1177854MTP23P06VPutere MOSFET 23 Amperi, 60 VolțiON Semiconductor
1177855MTP23P06V-DPutere MOSFET 23 Amperi, 60 volți P-Channel TO-220ON Semiconductor
1177856MTP25N05EFET tranzistorNew Jersey Semiconductor
1177857MTP27N10ETMOS POWER FET 27 AMPERI 100 VOLȚI RDS (pornit) = 0,07 OHMMotorola
1177858MTP27N10EMOSFET de putere 27 amperi, 100 de voltiON Semiconductor
1177859MTP27N10E-DMOSFET de putere 27 Amperi, 100 volți canal N TO-220ON Semiconductor
1177860MTP2955TMOS POWER FET 12 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,230 OHMMotorola
1177861MTP2955DTMOS POWER FET 12 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,230 OHMMotorola
1177862MTP2955ETMOS POWER FET 12 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,3 OHMMotorola
1177863MTP2955VP-canal Enhancement Mode efect de câmp tranzistorFairchild Semiconductor
1177864MTP2955VTMOS POWER FET 12 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,230 OHMMotorola
1177865MTP2955VMOSFET de putere 12 Amperi, 60 de voltiON Semiconductor
1177866MTP2955V-DPutere MOSFET 12 Amperi, 60 volți P-Channel TO-220ON Semiconductor
1177867MTP2955VGMOSFET de putere 12 Amperi, 60 de voltiON Semiconductor
1177868MTP29N15ETMOS POWER FET 29 AMPERI 150 VOLTS RDS (pornit) = 0,07 OHMMotorola
1177869MTP29N15EMOSFET de putere 29 Amperi, 150 VolțiON Semiconductor
1177870MTP29N15E-DMOSFET de putere 29 amperi, 150 volți canal N TO-220ON Semiconductor
1177871MTP2N18Trans MOSFET N-CH 180V 3.25A 3-Pin (3 + Tab) TO-220ABNew Jersey Semiconductor
1177872MTP2N20TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTERE, PORTA DE SILICON MOD DE ÎMBUNĂTĂȚIRE N-CANALMotorola
1177873MTP2N20Trans MOSFET N-CH 200V 3.25A 3-Pin (3 + Tab) TO-220ABNew Jersey Semiconductor
1177874MTP2N35MOSFET-uri de putere N-Channel, 2.25A, 350-400VFairchild Semiconductor
1177875MTP2N35Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin (3 + Tab) TO-220New Jersey Semiconductor
1177876MTP2N40MOSFET-uri de putere N-Channel, 2.25A, 350-400VFairchild Semiconductor
1177877MTP2N40ETMOS POWER FET 2.0 AMPERES 400 VOLTS RDS (pornit) = 3,5 OHMMotorola
1177878MTP2N40E2 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 400ON Semiconductor
1177879MTP2N40E-DTMOS E-FET Tranzistor cu efect de câmp de putere Îmbunătățirea canalului N - Poartă din silicon în modON Semiconductor
1177880MTP2N45MOSFET-uri de putere N-Channel, 3,0 A, 450 V / 500 VFairchild Semiconductor
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 29442 | 29443 | 29444 | 29445 | 29446 | 29447 | 29448 | 29449 | 29450 | 29451 | 29452 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com