|
IRF6708S2 este fabricat de:
|
| Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET S1 evaluat la 13 amperi optimizat cu rezistență redusă. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: IRF6708S2TRPBF |
Downloadează sau descarcă IRF6708S2 datasheet de la International Rectifier |
pdf 277 kb |
| IRF6706S2TRPBF | Vezi IRF6708S2 în catalogul nostru | IRF6708S2TR1PBF |