|
IRF6706S2TRPBF este fabricat de:
|
| Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET S1 evaluat la 17 amperi optimizat cu rezistență redusă. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: IRF6706S2 |
Downloadează sau descarcă IRF6706S2TRPBF datasheet de la International Rectifier |
pdf 274 kb |
| IRF6706S2TR1PBF | Vezi IRF6706S2TRPBF în catalogul nostru | IRF6708S2 |