|
IRF6708S2TRPBF este fabricat de:
|
| Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET S1 evaluat la 13 amperi optimizat cu rezistență redusă. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: IRF6708S2 |
Downloadează sau descarcă IRF6708S2TRPBF datasheet de la International Rectifier |
pdf 277 kb |
| IRF6708S2TR1PBF | Vezi IRF6708S2TRPBF în catalogul nostru | IRF6709S2 |