|
IRF6708S2TR1PBF este fabricat de:
|
| Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET S1 evaluat la 13 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF6708S2TR1PBF datasheet de la International Rectifier |
pdf 277 kb |
| IRF6708S2 | Vezi IRF6708S2TR1PBF în catalogul nostru | IRF6708S2TRPBF |