|
IRF6706S2 este fabricat de:
|
| Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET S1 evaluat la 17 amperi optimizat cu rezistență redusă. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: IRF6706S2TRPBF |
Downloadează sau descarcă IRF6706S2 datasheet de la International Rectifier |
pdf 274 kb |
| IRF6702M2DTRPBF | Vezi IRF6706S2 în catalogul nostru | IRF6706S2TR1PBF |