|
IRF6706S2TR1PBF este fabricat de:
|
| Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET S1 evaluat la 17 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF6706S2TR1PBF datasheet de la International Rectifier |
pdf 274 kb |
| IRF6706S2 | Vezi IRF6706S2TR1PBF în catalogul nostru | IRF6706S2TRPBF |