| Nr. | Nume | Descriere |
|---|
| 151 | 28LV256SC-6 | Viteză: 400 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 152 | 28LV256SC-6 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 400 ns. |
| 153 | 28LV256SI-3 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns. |
| 154 | 28LV256SI-3 | Viteză: 200 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 155 | 28LV256SI-4 | Viteză: 250 de ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 156 | 28LV256SI-4 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns. |
| 157 | 28LV256SI-5 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 300 ns. |
| 158 | 28LV256SI-5 | Viteză: 300 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 159 | 28LV256SI-6 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 400 ns. |
| 160 | 28LV256SI-6 | Viteză: 400 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 161 | 28LV256SM-3 | Viteză: 200 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 162 | 28LV256SM-3 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns. |
| 163 | 28LV256SM-4 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns. |
| 164 | 28LV256SM-4 | Viteză: 250 de ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 165 | 28LV256SM-5 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 300 ns. |
| 166 | 28LV256SM-5 | Viteză: 300 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 167 | 28LV256SM-6 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 400 ns. |
| 168 | 28LV256SM-6 | Viteză: 400 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 169 | 28LV256TC-3 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns. |
| 170 | 28LV256TC-3 | Viteză: 200 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 171 | 28LV256TC-4 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns. |
| 172 | 28LV256TC-4 | Viteză: 250 de ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 173 | 28LV256TC-5 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 300 ns. |
| 174 | 28LV256TC-5 | Viteză: 300 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 175 | 28LV256TC-6 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 400 ns. |
| 176 | 28LV256TC-6 | Viteză: 400 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 177 | 28LV256TI-3 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns. |
| 178 | 28LV256TI-3 | Viteză: 200 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 179 | 28LV256TI-4 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns. |
| 180 | 28LV256TI-4 | Viteză: 250 de ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 181 | 28LV256TI-5 | Viteză: 300 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 182 | 28LV256TI-5 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 300 ns. |
| 183 | 28LV256TI-6 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 400 ns. |
| 184 | 28LV256TI-6 | Viteză: 400 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 185 | 28LV256TM-3 | Viteză: 200 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 186 | 28LV256TM-3 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns. |
| 187 | 28LV256TM-4 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns. |
| 188 | 28LV256TM-4 | Viteză: 250 de ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 189 | 28LV256TM-5 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 300 ns. |
| 190 | 28LV256TM-5 | Viteză: 300 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 191 | 28LV256TM-6 | Viteză: 400 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM |
| 192 | 28LV256TM-6 | CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 400 ns. |
| 193 | 29C010JC-1 | CMOS de mare viteză. 1 Megabit ROM programabilă și care pot fi șterse. 128K x 8 biți bliț PEROM. Timp de acces de 120 ns. |
| 194 | 29C010JC-1 | De mare viteză de 120 ns CMOS 1 Megabit programabilă care poate fi ștearsă și 128K ROM x 8 biți bliț PEROM |
| 195 | 29C010JC-2 | De mare viteză de 150 ns CMOS 1 Megabit programabilă care poate fi ștearsă și 128K ROM x 8 biți bliț PEROM |
| 196 | 29C010JC-2 | CMOS de mare viteză. 1 Megabit ROM programabilă și care pot fi șterse. 128K x 8 biți bliț PEROM. Timp de acces de 150 ns. |
| 197 | 29C010JC-3 | De mare viteză de 200 ns CMOS 1 Megabit programabilă care poate fi ștearsă și 128K ROM x 8 biți bliț PEROM |
| 198 | 29C010JC-3 | CMOS de mare viteză. 1 Megabit ROM programabilă și care pot fi șterse. 128K x 8 biți bliț PEROM. Timp de acces de 200 ns. |
| 199 | 29C010JI-1 | De mare viteză de 120 ns CMOS 1 Megabit programabilă care poate fi ștearsă și 128K ROM x 8 biți bliț PEROM |
| 200 | 29C010JI-1 | CMOS de mare viteză. 1 Megabit ROM programabilă și care pot fi șterse. 128K x 8 biți bliț PEROM. Timp de acces de 120 ns. |
| | |
