|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Turbo IC

Datasheet Catalog - Pagina 2

Datasheet-uri găsite :: 336Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
Nr.NumeDescriere
5128C256ASC-2De mare viteză de 150 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
5228C256ASC-2CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 150 ns.
5328C256ASC-3CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns.
5428C256ASC-3De mare viteză de 200 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
5528C256ASC-4De mare viteză de 250 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
5628C256ASC-4CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns.
5728C256ASI-1De mare viteză de 120 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
5828C256ASI-1CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 120 ns.
5928C256ASI-2CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 150 ns.
6028C256ASI-2De mare viteză de 150 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
6128C256ASI-3CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns.
6228C256ASI-3De mare viteză de 200 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
6328C256ASI-4CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns.
6428C256ASI-4De mare viteză de 250 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
6528C256ASM-1CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 120 ns.
6628C256ASM-1De mare viteză de 120 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
6728C256ASM-2De mare viteză de 150 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
6828C256ASM-2CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 150 ns.
6928C256ASM-3CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns.
7028C256ASM-3De mare viteză de 200 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
7128C256ASM-4CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns.
7228C256ASM-4De mare viteză de 250 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
7328C256ATC-1CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 120 ns.
7428C256ATC-1De mare viteză de 120 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
7528C256ATC-2De mare viteză de 150 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
7628C256ATC-2CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 150 ns.
7728C256ATC-3De mare viteză de 200 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
7828C256ATC-3CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns.
7928C256ATC-4CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns.
8028C256ATC-4De mare viteză de 250 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
8128C256ATI-1CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 120 ns.
8228C256ATI-1De mare viteză de 120 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
8328C256ATI-2CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 150 ns.
8428C256ATI-2De mare viteză de 150 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
8528C256ATI-3CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns.
8628C256ATI-3De mare viteză de 200 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
8728C256ATI-4CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns.
8828C256ATI-4De mare viteză de 250 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
8928C256ATM-1CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 120 ns.
9028C256ATM-1De mare viteză de 120 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
9128C256ATM-2CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 150 ns.
9228C256ATM-2De mare viteză de 150 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
9328C256ATM-3CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns.
9428C256ATM-3De mare viteză de 200 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
9528C256ATM-4De mare viteză de 250 ns CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
9628C256ATM-4CMOS de mare viteză. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns.
9728LV256JC-3CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns.
9828LV256JC-3Viteză: 200 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
9928LV256JC-4CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns.
10028LV256JC-4Viteză: 250 de ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/turboic/1/