|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Turbo IC

Datasheet Catalog - Pagina 3
Datasheet-uri găsite :: 336Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
Nr.NumeDescriere
10128LV256JC-5CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 300 ns.
10228LV256JC-5Viteză: 300 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
10328LV256JC-6CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 400 ns.
10428LV256JC-6Viteză: 400 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
10528LV256JI-3Viteză: 200 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
10628LV256JI-3CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns.
10728LV256JI-4CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns.
10828LV256JI-4Viteză: 250 de ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
10928LV256JI-5Viteză: 300 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
11028LV256JI-5CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 300 ns.
11128LV256JI-6CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 400 ns.
11228LV256JI-6Viteză: 400 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
11328LV256JM-3CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns.
11428LV256JM-3Viteză: 200 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
11528LV256JM-4CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns.
11628LV256JM-4Viteză: 250 de ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
11728LV256JM-5Viteză: 300 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
11828LV256JM-5CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 300 ns.
11928LV256JM-6Viteză: 400 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
12028LV256JM-6CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 400 ns.
12128LV256PC-3Viteză: 200 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
12228LV256PC-3CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns.
12328LV256PC-4Viteză: 250 de ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
12428LV256PC-4CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns.
12528LV256PC-5Viteză: 300 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
12628LV256PC-5CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 300 ns.
12728LV256PC-6CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 400 ns.
12828LV256PC-6Viteză: 400 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
12928LV256PI-3Viteză: 200 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
13028LV256PI-3CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns.
13128LV256PI-4Viteză: 250 de ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
13228LV256PI-4CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns.
13328LV256PI-5Viteză: 300 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
13428LV256PI-5CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 300 ns.
13528LV256PI-6Viteză: 400 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
13628LV256PI-6CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 400 ns.
13728LV256PM-3Viteză: 200 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
13828LV256PM-3CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns.
13928LV256PM-4Viteză: 250 de ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
14028LV256PM-4CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns.
14128LV256PM-5CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 300 ns.
14228LV256PM-5Viteză: 300 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
14328LV256PM-6CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 400 ns.
14428LV256PM-6Viteză: 400 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
14528LV256SC-3CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 200 ns.
14628LV256SC-3Viteză: 200 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
14728LV256SC-4Viteză: 250 de ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
14828LV256SC-4CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 250 ns.
14928LV256SC-5Viteză: 300 ns, de joasa tensiune CMOS 256 K poate fi ștearsă electric 32K ROM programabilă x 8 biți EEPROM
15028LV256SC-5CMOS de joasă tensiune. 256K ROM programabilă care poate fi ștearsă electric. 32K x 8 biți EEPROM. Timp de acces de 300 ns.
Pagina: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/turboic/1/