|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 19313 | 19314 | 19315 | 19316 | 19317 | 19318 | 19319 | 19320 | 19321 | 19322 | 19323 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
772681KM416V1204BJRAM DINAMIT CMOS 1M x 16BIT CU IEȘIRE DE DATE EXTINDERESamsung Electronic
772682KM416V1204BJ-53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50nsSamsung Electronic
772683KM416V1204BJ-63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60nsSamsung Electronic
772684KM416V1204BJ-73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 70nsSamsung Electronic
772685KM416V1204BJ-L53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50nsSamsung Electronic
772686KM416V1204BJ-L63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60nsSamsung Electronic
772687KM416V1204BJ-L73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 70nsSamsung Electronic
772688KM416V1204BT-53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50nsSamsung Electronic
772689KM416V1204BT-63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60nsSamsung Electronic
772690KM416V1204BT-73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 70nsSamsung Electronic
772691KM416V1204BT-L53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50nsSamsung Electronic
772692KM416V1204BT-L63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60nsSamsung Electronic
772693KM416V1204BT-L73.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 70nsSamsung Electronic
772694KM416V1204CRAM dinamică CMOS 1M x 16Bit cu ieșire extinsă de dateSamsung Electronic
772695KM416V1204CJ-451m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, 45ns, VCC = 3.3V, reîmprospătare perioadei = 16 msSamsung Electronic
772696KM416V1204CJ-53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50nsSamsung Electronic
772697KM416V1204CJ-501m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, 50ns, VCC = 3.3V, reîmprospătare perioadei = 16 msSamsung Electronic
772698KM416V1204CJ-63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60nsSamsung Electronic
772699KM416V1204CJ-601m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, 60ns, VCC = 3.3V, reîmprospătare perioadei = 16 msSamsung Electronic
772700KM416V1204CJ-L53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50nsSamsung Electronic
772701KM416V1204CJ-L63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60nsSamsung Electronic
772702KM416V1204CJL-451m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns, VCC = 3.3V, auto-refreshSamsung Electronic
772703KM416V1204CJL-501m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns, VCC = 3.3V, auto-refreshSamsung Electronic
772704KM416V1204CJL-601m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns, VCC = 3.3V, auto-refreshSamsung Electronic
772705KM416V1204CT-451m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, 45ns, VCC = 3.3V, reîmprospătare perioadei = 16 msSamsung Electronic
772706KM416V1204CT-53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50nsSamsung Electronic
772707KM416V1204CT-501m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, 50ns, VCC = 3.3V, reîmprospătare perioadei = 16 msSamsung Electronic
772708KM416V1204CT-63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60nsSamsung Electronic
772709KM416V1204CT-601m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, 60ns, VCC = 3.3V, reîmprospătare perioadei = 16 msSamsung Electronic
772710KM416V1204CT-L53.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 50nsSamsung Electronic
772711KM416V1204CT-L63.3V, 1m x 16 bit CMOS DRAM cu date extinse out, 60nsSamsung Electronic
772712KM416V1204CTL-451m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 45ns, VCC = 3.3V, auto-refreshSamsung Electronic
772713KM416V1204CTL-501m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 50ns, VCC = 3.3V, auto-refreshSamsung Electronic
772714KM416V1204CTL-601m x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, 60ns, VCC = 3.3V, auto-refreshSamsung Electronic
772715KM416V254DRAM dinamic CMOS 256K x 16Bit cu ieșire extinsă de dateSamsung Electronic
772716KM416V254DJ-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 3.3V, 50ns, 8ms refresh perioadăSamsung Electronic
772717KM416V254DJ-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 3.3V, 60ns, 8ms refresh perioadăSamsung Electronic
772718KM416V254DJ-7256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 3.3V, 70ns, 8ms refresh perioadăSamsung Electronic
772719KM416V254DJL-5256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 3.3V, 50ns, de auto-refreshSamsung Electronic
772720KM416V254DJL-6256K x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse afară, Vcc = 3.3V, 60ns, de auto-refreshSamsung Electronic
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 19313 | 19314 | 19315 | 19316 | 19317 | 19318 | 19319 | 19320 | 19321 | 19322 | 19323 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com