| 772761 | KM416V4004BSL-6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 60ns, consum redus de energie | Samsung Electronic |
| 772762 | KM416V4004C | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 772763 | KM416V4004CS-45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 772764 | KM416V4004CS-50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 772765 | KM416V4004CS-60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 772766 | KM416V4004CS-L45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 45ns, consum redus de energie | Samsung Electronic |
| 772767 | KM416V4004CS-L50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 50ns, consum redus de energie | Samsung Electronic |
| 772768 | KM416V4004CS-L60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 60ns, consum redus de energie | Samsung Electronic |
| 772769 | KM416V4100B | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 772770 | KM416V4100BS-45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 772771 | KM416V4100BS-5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 772772 | KM416V4100BS-6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 772773 | KM416V4100BS-L45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns, de putere mică | Samsung Electronic |
| 772774 | KM416V4100BS-L5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 50ns, de putere mică | Samsung Electronic |
| 772775 | KM416V4100BS-L6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns, de putere mică | Samsung Electronic |
| 772776 | KM416V4100C | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu modul Pagină rapidă | Samsung Electronic |
| 772777 | KM416V4100CS-45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 772778 | KM416V4100CS-5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 772779 | KM416V4100CS-6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 772780 | KM416V4100CS-L45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 45ns, de putere mică | Samsung Electronic |
| 772781 | KM416V4100CS-L5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 50ns, de putere mică | Samsung Electronic |
| 772782 | KM416V4100CS-L6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu modul de start, rapid, sursa de alimentare 3.3V, 60ns, de putere mică | Samsung Electronic |
| 772783 | KM416V4104B | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 772784 | KM416V4104BS-45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 772785 | KM416V4104BS-5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 772786 | KM416V4104BS-6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 772787 | KM416V4104BSL-45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 45ns, consum redus de energie | Samsung Electronic |
| 772788 | KM416V4104BSL-5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 50ns, consum redus de energie | Samsung Electronic |
| 772789 | KM416V4104BSL-6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 60ns, consum redus de energie | Samsung Electronic |
| 772790 | KM416V4104C | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 772791 | KM416V4104CS-45 | RAM dinamică CMOS de 4M x 16 biți cu ieșire extinsă de date | Samsung Electronic |
| 772792 | KM416V4104CS-50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 772793 | KM416V4104CS-60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 772794 | KM416V4104CS-L45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 45ns, consum redus de energie | Samsung Electronic |
| 772795 | KM416V4104CS-L50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 50ns, consum redus de energie | Samsung Electronic |
| 772796 | KM416V4104CS-L60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinamic cu date extinse out, sursa de alimentare de 3.3V, 60ns, consum redus de energie | Samsung Electronic |
| 772797 | KM4170 | Amplificatoare I / O Rail-to-Rail cu cost redus, + 2,7 V și + 5 V | Fairchild Semiconductor |
| 772798 | KM4170IS5TR3 | Cost redus / + 2,7 V și + 5 V / Amplificatoare I / O șină-șină | Fairchild Semiconductor |
| 772799 | KM4170IT5TR3 | Cost redus / + 2,7 V și + 5 V / Amplificatoare I / O șină-șină | Fairchild Semiconductor |
| 772800 | KM418RD | RDRAM 128 / 144Mbit 256K x 16/18 bit x 2 * 16 Bănci dependente Direct RDRAM ™ | Samsung Electronic |
