|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 17974 | 17975 | 17976 | 17977 | 17978 | 17979 | 17980 | 17981 | 17982 | 17983 | 17984 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
719121IRF6714MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 29 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719122IRF6714MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 29 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719123IRF6714MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 29 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719124IRF6715MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 34 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719125IRF6715MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 34 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719126IRF6715MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 34 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719127IRF6716MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 39 amperi optimizat cu rezistență redusăInternational Rectifier
719128IRF6716MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX de 39 amperi optimizat cu rezistență redusăInternational Rectifier
719129IRF6717MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 38 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719130IRF6717MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 38 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719131IRF6717MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 38 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719132IRF6718L2Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET L6 de 61 amperi optimizat cu rezistență redusăInternational Rectifier
719133IRF6718L2TR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET L6 de 61 amperi optimizat cu rezistență redusăInternational Rectifier
719134IRF6720S2Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET S1 evaluat la 11 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719135IRF6720S2TR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET S1 evaluat la 11 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719136IRF6721SUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 14 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719137IRF6721STR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 14 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719138IRF6721STRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 14 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719139IRF6722MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MP de 13 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719140IRF6722MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MP de 13 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719141IRF6722MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MP de 13 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719142IRF6722SUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET ST de 13 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719143IRF6722STR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET ST de 13 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719144IRF6723M2DUn MOSFET HEXFET cu putere N-Channel dual 30V într-un pachet DirectFET MP de 15 amperi optimizat cu rezistență redusăInternational Rectifier
719145IRF6723M2DTR1PUn MOSFET HEXFET cu putere N-Channel dual 30V într-un pachet DirectFET MP de 15 amperi optimizat cu rezistență redusăInternational Rectifier
719146IRF6724MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MP de 27 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719147IRF6724MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MP de 27 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719148IRF6725MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX de 28 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719149IRF6725MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX de 28 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719150IRF6725MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX de 28 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719151IRF6726MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719152IRF6726MTR1PBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719153IRF6726MTRPBFUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719154IRF6727MMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MT evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719155IRF6727MTR1PBFMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MT evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719156IRF6727MTRPBFMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MT evaluat la 32 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719157IRF6728MMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 23 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719158IRF6728MTR1PBFMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 23 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719159IRF6728MTRPBFMOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V și diodă Schottky într-un pachet DirectFET MX de 23 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
719160IRF6729MUn MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 31 amperi optimizat cu rezistență redusă.International Rectifier
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 17974 | 17975 | 17976 | 17977 | 17978 | 17979 | 17980 | 17981 | 17982 | 17983 | 17984 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com