IRF6729M este fabricat de:
|
Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET MX evaluat la 31 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF6729M datasheet de la International Rectifier |
pdf 245 kb |
IRF6728MTRPBF | Vezi IRF6729M în catalogul nostru | IRF6729MTRPBF |