IRF6720S2 este fabricat de:
|
Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 30V într-un pachet DirectFET S1 evaluat la 11 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF6720S2 datasheet de la International Rectifier |
pdf 285 kb |
IRF6718L2TR1PBF | Vezi IRF6720S2 în catalogul nostru | IRF6720S2TR1PBF |