|
IRF7779L2TRPBF este fabricat de:
|
| Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 150V într-un pachet DirectFET MP de 11 amperi optimizat cu rezistență redusă. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: IRF7779L2 |
Downloadează sau descarcă IRF7779L2TRPBF datasheet de la International Rectifier |
pdf 324 kb |
| IRF7779L2TR1PBF | Vezi IRF7779L2TRPBF în catalogul nostru | IRF7799L2 |