|
IRF7779L2 este fabricat de:
|
| Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 150V într-un pachet DirectFET MP de 11 amperi optimizat cu rezistență redusă. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: IRF7779L2TRPBF |
Downloadează sau descarcă IRF7779L2 datasheet de la International Rectifier |
pdf 324 kb |
| IRF7769L2TR1PBF | Vezi IRF7779L2 în catalogul nostru | IRF7779L2TR1PBF |