IRF7779L2TR1PBF este fabricat de:
|
Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 150V într-un pachet DirectFET MP de 11 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF7779L2TR1PBF datasheet de la International Rectifier |
pdf 324 kb |
IRF7779L2 | Vezi IRF7779L2TR1PBF în catalogul nostru | IRF7779L2TRPBF |