|
IRF6711S este fabricat de:
|
| Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 19 amperi optimizat cu rezistență redusă. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: IRF6711STRPBF |
Downloadează sau descarcă IRF6711S datasheet de la International Rectifier |
pdf 280 kb |
| IRF6710S2TRPBF | Vezi IRF6711S în catalogul nostru | IRF6711STR1PBF |