|
IRF6711STR1PBF este fabricat de:
|
| Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET SQ evaluat la 19 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF6711STR1PBF datasheet de la International Rectifier |
pdf 280 kb |
| IRF6711S | Vezi IRF6711STR1PBF în catalogul nostru | IRF6711STRPBF |