|
IRF6710S2TRPBF este fabricat de:
|
| Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET S1 evaluat la 12 amperi optimizat cu rezistență redusă. Alte componente care au același fișier pentru datasheet: IRF6710S2 |
Downloadează sau descarcă IRF6710S2TRPBF datasheet de la International Rectifier |
pdf 277 kb |
| IRF6710S2TR1PBF | Vezi IRF6710S2TRPBF în catalogul nostru | IRF6711S |