IRF6710S2TR1PBF este fabricat de:
|
Un MOSFET de putere HEXFET cu un singur canal N de 25V într-un pachet DirectFET S1 evaluat la 12 amperi optimizat cu rezistență redusă. | Downloadează sau descarcă IRF6710S2TR1PBF datasheet de la International Rectifier |
pdf 277 kb |
IRF6710S2 | Vezi IRF6710S2TR1PBF în catalogul nostru | IRF6710S2TRPBF |