| Nr. | Nume | Descriere |
|---|
| 30201 | MTP52N06V-D | MOSFET de putere 52 Amperi, N-canal 60-Volți TO-220 |
| 30202 | MTP52N06VL | MOSFET de putere 52 Amperi, 60 Volți, Nivel logic |
| 30203 | MTP52N06VL-D | MOSFET de putere 52 Amperi, 60 Volți, Nivel logic N-Canal TO-220 |
| 30204 | MTP52N06VLG | MOSFET de putere 52 Amperi, 60 Volți, Nivel logic |
| 30205 | MTP5N40E | 5 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 400 |
| 30206 | MTP5N40E-D | TMOS E-FET Poartă din silicon de înaltă energie FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| 30207 | MTP5P06V | MOSFET de putere 5 amperi, 60 de volti |
| 30208 | MTP5P06V-D | MOSFET de putere 5 Amperi, 60 volți P-Channel TO-220 |
| 30209 | MTP60N06HD | MOSFET de putere 60 Amperi, 60 de volti |
| 30210 | MTP60N06HD-D | Putere MOSFET 60 Amperi, 60 Volți N-Canal TO-220 |
| 30211 | MTP6N60E | Domeniul de putere Effect Transistor |
| 30212 | MTP6N60E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal N |
| 30213 | MTP6P20E | MOSFET de putere 6 Amperi, 200 Volți |
| 30214 | MTP6P20E-D | MOSFET de putere 6 Amperi, 200 volți P-Channel TO-220 |
| 30215 | MTP75N03HDL | OBSOLETE - REPLACEMENT P / N # NTP75N03L09 |
| 30216 | MTP75N03HDL-D | MOSFET de putere 75 Amperi, 25 Volți, Nivel Logic Canal N TO-220 |
| 30217 | MTP75N05HD | INVECHITE - MOSFET de putere 75 Amperi, 50 de volti |
| 30218 | MTP75N05HD-D | Putere MOSFET 75 Amperi, 50 Volți N-Channel TO-220 |
| 30219 | MTP75N06HD | MOSFET de putere 75 Amperi, 60 de volti |
| 30220 | MTP75N06HD-D | MOSFET de putere 75 amperi, 60 volți canal N TO-220 |
| 30221 | MTP7N20E | INVECHITE - MOSFET de putere 7 amperi, 200 de volti |
| 30222 | MTP7N20E-D | MOSFET de putere 7 amperi, 200 volți canal N TO-220 |
| 30223 | MTP8N50E | Domeniul de putere Effect Transistor |
| 30224 | MTP8N50E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal N |
| 30225 | MTP9N25E | 9 Amp TO-220AB, N-Channel, Vdss 250 |
| 30226 | MTP9N25E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Poartă din silicon în modul N îmbunătățire canal N |
| 30227 | MTSF1P02HD | OBSOLETE - MOSFET de putere 1 Amp, 20 Volts |
| 30228 | MTSF1P02HD-D | MOSFET de putere 1 Amp, 20 volți P-Channel Micro8 |
| 30229 | MTSF2P02HD | OBSOLETE - REPLACEMENT P / N # - NTTS2P02R2 |
| 30230 | MTSF2P02HD-D | MOSFET de putere 2 amperi, 20 volți canal P micro8 |
| 30231 | MTSF2P03HD | OBSOLETE - REPLACEMENT P / N # - NTTS2P03R2 |
| 30232 | MTSF2P03HD-D | MOSFET de putere 2 amperi, 30 volți canal P micro8 |
| 30233 | MTSF3N02HD | MOSFET de putere 3 amperi, 20 de volti |
| 30234 | MTSF3N02HD-D | MOSFET de putere 3 Amperi, 20 Volți N-Channel Micro8 |
| 30235 | MTSF3N03HD | MOSFET de putere 3 amperi, 30 de volti |
| 30236 | MTSF3N03HD-D | MOSFET de putere 3 amperi, 30 volți canal N Micro8 |
| 30237 | MTV10N100E | 10 Amp D3PAK Surface Mount Products, N-Channel, Vdss 500 |
| 30238 | MTV10N100E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET D3PAK pentru montare pe suprafață Poartă din silicon cu îmbunătățire a canalului N |
| 30239 | MTV16N50E | 16 Amp D3PAK Surface Mount Products, N-Channel, Vdss 500 |
| 30240 | MTV16N50E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET D3PAK pentru îmbunătățirea montării pe suprafață a canalului N - Poartă din silicon în mod |
| 30241 | MTV20N50E | 20 Amp D3PAK Surface Mount Products, N-Channel, Vdss 500 |
| 30242 | MTV20N50E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET D3PAK pentru îmbunătățirea montării pe suprafață a canalului N - Poartă din silicon în mod |
| 30243 | MTV25N50E | OBSOLETE - 25 Amp D3PAK Surface Mount Products, N-Channel, Vdss 500 |
| 30244 | MTV25N50E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET D3PAK pentru îmbunătățirea montării pe suprafață a canalului N - Poartă din silicon în mod |
| 30245 | MTV32N20E | OBSOLETE - 32 Amp D3PAK Surface Mount Products, N-Channel, Vdss 200 |
| 30246 | MTV32N20E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET D3PAK pentru îmbunătățirea montării pe suprafață a canalului N - Poartă din silicon în mod |
| 30247 | MTV32N25E | N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| 30248 | MTV32N25E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET D3PAK pentru îmbunătățirea montării pe suprafață a canalului N - Poartă din silicon în mod |
| 30249 | MTV6N100E | 6 Amp D3PAK Surface Mount Products, N-Channel, Vdss 1000 |
| 30250 | MTV6N100E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET D3PAK pentru îmbunătățirea montării pe suprafață a canalului N - Poartă din silicon în mod |
| 30251 | MTW10N100E | INVECHITE - MOSFET de putere 10 amperi, 1000 de volți |
| 30252 | MTW10N100E-D | MOSFET de putere 10 Amperi, 1000 Volți N-Channel TO-247 |
| 30253 | MTW14N50E | OBSOLETE - MOSFET de putere 14 A, 500 V, N-canal pentru a-247 |
| 30254 | MTW14N50E-D | Putere MOSFET 14 Amperi, 500 Volți N-Channel TO-247 |
| 30255 | MTW16N40E | INVECHITE - MOSFET de putere 16 amperi, 400 de volti |
| 30256 | MTW16N40E-D | MOSFET de putere 16 amperi, 400 volți canal N TO-247 |
| 30257 | MTW20N50E | INVECHITE - MOSFET de putere 20 amperi, 500 de volti |
| 30258 | MTW20N50E-D | Putere MOSFET 20 Amperi, 500 Volți N-Channel TO-247 |
| 30259 | MTW24N40E | INVECHITE - MOSFET de putere 24 amperi, 400 de volti |
| 30260 | MTW24N40E-D | Putere MOSFET 24 Amperi, 400 Volți N-Canal TO-247 |
| 30261 | MTW32N20E | MOSFET de putere 32 Amperi, 200 Volți |
| 30262 | MTW32N20E-D | Putere MOSFET 32 Amperi, 200 volți canal N TO-247 |
| 30263 | MTW32N25E | MOSFET de putere 32 amperi, 250 de volti |
| 30264 | MTW32N25E-D | Putere MOSFET 32 Amperi, 250 volți N-Channel TO-247 |
| 30265 | MTW35N15E | INVECHITE - MOSFET de putere 35 amperi, 150 de volti |
| 30266 | MTW35N15E-D | MOSFET de putere 35 amperi, canal N de 150 volți TO-247 |
| 30267 | MTW45N10E-D | MOSFET de putere 45 Amperi, 100 Volți |
| 30268 | MTW6N100E | MOSFET de putere 6 amperi, 1000 de volți |
| 30269 | MTW6N100E-D | MOSFET de putere 6 amperi, 1000 de volți |
| 30270 | MTW7N80E | INVECHITE - MOSFET de putere 7 amperi, 800 de volti |
| 30271 | MTW7N80E-D | MOSFET de putere 7 Amperi, 800 Volți |
| 30272 | MTW8N60E | TMOS POWER FET 8,0 AMPERI 600 VOLȚI RDS (pornit) = 0,55 OHM |
| 30273 | MTW8N60E-D | MOSFET de putere 8 Amperi, 600 N Volți N-Canal TO-247 |
| 30274 | MTY100N10E | MOSFET de putere 100 Amperi, 100 Volți |
| 30275 | MTY100N10E-D | MOSFET de putere 100 Amperi, 100 Volți |
| 30276 | MTY14N100E | N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| 30277 | MTY14N100E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET Mod de îmbunătățire a canalului N Poartă din silicon |
| 30278 | MTY16N80E | N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| 30279 | MTY16N80E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET |
| 30280 | MTY20N50E | MOSFET de putere 20 amperi, 500 de volti |
| 30281 | MTY20N50E-D | MOSFET de putere 20 amperi, 500 de volti |
| 30282 | MTY25N60E | INVECHITE - MOSFET de putere 25 amperi, 600 de volti |
| 30283 | MTY25N60E-D | Putere MOSFET 25 Amperi, 600 Volți |
| 30284 | MTY30N50E | INVECHITE - MOSFET de putere 30 amperi, 500 de volti |
| 30285 | MTY30N50E-D | Putere MOSFET 30 Amperi, 500 Volți N-Channel TO-264 |
| 30286 | MTY55N20E | INVECHITE - MOSFET de putere 55 amperi, 200 de volti |
| 30287 | MTY55N20E-D | Putere MOSFET 55 Amperi, 200 volți canal N TO-264 |
| 30288 | MUN211 | Bias Rezistor Transistor |
| 30289 | MUN2111 | Bias Rezistor Transistor |
| 30290 | MUN2111T1 | Bias Rezistor Transistor |
| 30291 | MUN2111T1-D | Tranzistoare de rezistență de polarizare PNP tranzistoare de montare pe suprafață din siliciu cu rețea de rezistențe de polarizare monolitică |
| 30292 | MUN2111T1G | Bias Rezistor Transistor |
| 30293 | MUN2111T3 | Bias Rezistor Transistor |
| 30294 | MUN2112 | Bias Rezistor Transistor |
| 30295 | MUN2112T1 | Bias Rezistor Transistor |
| 30296 | MUN2112T1G | Bias Rezistor Transistor |
| 30297 | MUN2112T3 | Bias Rezistor Transistor PNP |
| 30298 | MUN2113 | Bias Rezistor Transistor |
| 30299 | MUN2113T1 | Bias Rezistor Transistor |
| 30300 | MUN2113T1G | Bias Rezistor Transistor |
| | |
