|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


ON Semiconductor

Datasheet Catalog - Pagina 300

Datasheet-uri găsite :: 37956Pagina: | 295 | 296 | 297 | 298 | 299 | 300 | 301 | 302 | 303 | 304 | 305 |
Nr.NumeDescriere
29901MSD6150-DAnod comun cu diodă dublă
29902MSQA6V1W5Array Quad pentru protecția ESD
29903MSQA6V1W5T2Array Quad pentru protecția ESD
29904MSQA6V1W5T2-DArray Quad pentru protecția ESD
29905MSR1560Redresor 15A 600V Soft Recovery
29906MSR1560-DRedresor SWITCHMODE Soft Recovery
29907MSR860Redresor 8A 600V Soft Recovery
29908MSR860Redresor 8A 600V Soft Recovery
29909MSR860-DSWITCHMODEE Redresor reductor de putere Pachet din plastic TO-220
29910MSRB860-1-DSWITCHMODE Redresor de putere de recuperare moale D2PAK-SL Plumb drept
29911MSRD620CTRedresor 6A 200V moale ultrarapid
29912MSRD620CT-DSWITCHMODE Redresor de putere ultrarapid Pachet din plastic DPAK
29913MSRD620CT/DRedresor SWITCHMODE Soft Ultrafast Recovery
29914MSRD620CTGRedresor SWITCHMODE Soft Ultrafast Recovery
29915MSRD620CTRSwitchmode Soft Ultrafast recuperare Reverse polaritate Putere Rectifier
29916MSRD620CTT4Redresor 6A 200V moale ultrarapid
29917MSRD620CTT4GRedresor SWITCHMODE Soft Ultrafast Recovery
29918MSRP10040Switchmode Soft Recovery Putere Rectifier
29919MSRP10040-DPachet SWITCHMODE Redresor redus de putere Pachet POWERTAP III
29920MTB10N40E10 Amp D2PAK Surface Mount Products, N-Channel, Vdss 400
29921MTB10N40E-DTMOS E-FET FET D2PAK de înaltă energie pentru montare pe suprafață Poartă din silicon cu îmbunătățire a canalului N
29922MTB10N60E7TMOS 7 E-FET ™ FET de mare energie
29923MTB10N60E7-DTMOS 7 E-FET Putere înaltă energie FET Poarta din silicon în modul îmbunătățire a canalului N
29924MTB10N60E7T4TMOS 7 E-FET ™ FET de mare energie
29925MTB1306INVECHITE - MOSFET de putere 75 Amperi, 30 de volti, Logic Level
29926MTB1306-DMOSFET de putere 75 Amperi, 30 Volți, Nivel Logic Canal N D2PAK
29927MTB15N06V15 A D2PAK N-Channel MOSFET, Vdss 60
29928MTB15N06V-DTranzistor cu efect de câmp de putere TMOS V D2PAK pentru poartă din silicon cu montare pe suprafață în N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
29929MTB16N25E16 Amp D2PAK Surface Mount Products, N-Channel, Vdss 250
29930MTB16N25E-DFET D2PAK de înaltă energie TMOS E-FET pentru montare pe suprafață
29931MTB20N20EINVECHITE - MOSFET de putere 20 amperi, 200 de volti
29932MTB20N20E-DMOSFET de putere 20 amperi, 200 volți canal N D2PAK
29933MTB23P06VPutere MOSFET 23 Amperi, 60 Volți
29934MTB23P06V-DPutere MOSFET 23 Amperi, 60 volți P-Channel D2PAK
29935MTB23P06VT4Putere MOSFET 23 Amperi, 60 Volți
29936MTB29N15EMOSFET de putere 29 Amperi, 150 Volți
29937MTB29N15E-DMOSFET de putere 29 amperi, 150 volți canal N D2PAK
29938MTB29N15ET4MOSFET de putere 29 Amperi, 150 Volți
29939MTB2N40E-DTMOS E-FET FET D2PAK de înaltă energie pentru montare pe suprafață Poartă din silicon cu îmbunătățire a canalului N
29940MTB2N60EN-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
29941MTB2N60E-DTMOS E-FET FET D2PAK de înaltă energie pentru montare pe suprafață Poartă din silicon cu îmbunătățire a canalului N
29942MTB2P50ETMOS Power FET 500V 6.00Ohm
29943MTB2P50E-DTMOS E-FET FET D2PAK de înaltă energie pentru montare pe suprafață Poartă din silicon în modul P de îmbunătățire a canalului P
29944MTB2P50ET4TMOS Power FET 500V 6.00Ohm
29945MTB30N06VLMOSFET de putere 30 Amperi, 60 de volti, Logic Level
29946MTB30N06VL-DMOSFET de putere 30 Amperi, 60 Volți, Nivel Logic Canal N D2PAK
29947MTB30P06VMOSFET de putere 30 Amperi, 60 Volți
29948MTB30P06VMOSFET de putere 30 Amperi, 60 Volți
29949MTB30P06V-DPutere MOSFET 30 Amperi, 60 Volți P-Channel D2PAK
29950MTB30P06VGMOSFET de putere 30 Amperi, 60 Volți
29951MTB30P06VGMOSFET de putere 30 Amperi, 60 Volți
29952MTB30P06VT4MOSFET de putere 30 Amperi, 60 Volți
29953MTB30P06VT4MOSFET de putere 30 Amperi, 60 Volți
29954MTB30P06VT4GMOSFET de putere 30 Amperi, 60 Volți
29955MTB30P06VT4GMOSFET de putere 30 Amperi, 60 Volți
29956MTB33N10EMOSFET de putere 33 amperi, 100 de volti
29957MTB33N10E-DMOSFET de putere 33 Amperi, 100 volți canal N D2PAK
29958MTB36N06VMOSFET de putere 32 Amperi, 60 Volți
29959MTB36N06VMOSFET de putere 32 Amperi, 60 Volți
29960MTB36N06V-DPutere MOSFET 32 Amperi, 60 Volți N-Channel D2PAK
29961MTB36N06VT4MOSFET de putere 32 Amperi, 60 Volți
29962MTB36N06VT4MOSFET de putere 32 Amperi, 60 Volți
29963MTB3N100E2 Amp D2PAK Surface Mount Products, N-Channel, Vdss 1000
29964MTB3N100E-DTMOS E-FET FET D2PAK de înaltă energie pentru montare pe suprafață Poartă din silicon cu îmbunătățire a canalului N
29965MTB3N120E-DTMOS E-FET FET D2PAK de înaltă energie pentru montare pe suprafață Poartă din silicon cu îmbunătățire a canalului N
29966MTB3N60ED2PAK pentru Surface Mount N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
29967MTB3N60E-DTMOS E-FET FET D2PAK de înaltă energie pentru montare pe suprafață Poartă din silicon cu îmbunătățire a canalului N
29968MTB40N10EMOSFET de putere 40 amperi, 100 de volti
29969MTB40N10E-DMOSFET de putere 40 Amperi, 100 volți canal N D2PAK
29970MTB40N10ET4MOSFET de putere 40 amperi, 100 de volti
29971MTB4N80EOBSOLETE - 800 V, 4 A, POWER FET
29972MTB4N80E-DTMOS E-FET FET D2PAK de înaltă energie pentru montare pe suprafață Poartă din silicon cu îmbunătățire a canalului N
29973MTB4N80E1OBSOLETE - N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
29974MTB4N80E1-DTMOS E-FET Putere înaltă energie FET D2PAK-SL Poartă din silicon în mod N-Canal de îmbunătățire a plumbului drept
29975MTB50N06VMOSFET de putere 42 A, 60V, D2PAK N-Channel
29976MTB50N06V-DTranzistor cu efect de câmp de putere TMOS V D2PAK pentru poartă din silicon cu montare pe suprafață în N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
29977MTB50N06VLMOSFET de putere 42 Amperi, 60 de volti, Logic Level
29978MTB50N06VL-DMOSFET de putere 42 Amperi, 60 Volți, Nivel Logic Canal N D2PAK
29979MTB50P03HDLMOSFET de putere 50 Amperi, 30 Volți, Nivel logic
29980MTB50P03HDL-DMOSFET de putere 50 Amperi, 30 Volți, Nivel logic P-Channel D2PAK
29981MTB50P03HDLT4MOSFET de putere 50 Amperi, 30 Volți, Nivel logic
29982MTB50P03HDLT4GMOSFET de putere 50 Amperi, 30 Volți, Nivel logic
29983MTB52N06VMOSFET de putere 52 Amperi, 60 Volți
29984MTB52N06V-DMOSFET de putere 52 amperi, canal N de 60 volți D2PAK
29985MTB52N06VLMOSFET de putere 52 Amperi, 60 Volți, Nivel logic
29986MTB52N06VL-DMOSFET de putere 52 Amperi, 60 Volți, Nivel Logic Canal N D2PAK
29987MTB52N06VLT4MOSFET de putere 52 Amperi, 60 Volți, Nivel logic
29988MTB52N06VT4MOSFET de putere 52 Amperi, 60 Volți
29989MTB55N06ZMOSFET de putere 55 Amperi, 60 de volti
29990MTB55N06Z-DMOSFET de putere 55 amperi, canal N de 60 volți D2PAK
29991MTB60N05HDLMOSFET de putere 60 Amperi, 50 de volti, Logic Level
29992MTB60N05HDL-DMOSFET de putere 60 Amperi, 50 Volți, Nivel logic N-Channel D2PAK
29993MTB60N06HDMOSFET de putere 60 Amperi, 60 de volti
29994MTB60N06HD-DPutere MOSFET 60 Amperi, 60 Volți N-Channel D2PAK
29995MTB6N60E1N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
29996MTB6N60E1-DTMOS E-FET Putere înaltă energie FET D2PAK-SL Poartă din silicon în mod N-Canal de îmbunătățire a plumbului drept
29997MTB75N03HDLINVECHITE - MOSFET de putere 75 Amperi, 25 de volti, Logic Level
29998MTB75N03HDL-DMOSFET de putere 75 Amperi, 25 Volți, Nivel Logic Canal N D2PAK
29999MTB75N05HDMOSFET de putere 75 Amperi, 50 Volți
30000MTB75N05HD-DMOSFET de putere 75 amperi, canal N de 50 volți D2PAK
Pagina: | 1 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | 90 | 100 | 110 | 120 | 130 | 140 | 150 | 160 | 170 | 180 | 190 | 200 | 210 | 220 | 230 | 240 | 250 | 260 | 270 | 280 | 290 | 295 | 296 | 297 | 298 | 299 | 300 | 301 | 302 | 303 | 304 | 305 | 310 | 320 | 330 | 340 | 350 | 360 | 370 | 380 |


© 2024    www.datasheetcatalog.com/onsemiconductor/1/