|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 19031 | 19032 | 19033 | 19034 | 19035 | 19036 | 19037 | 19038 | 19039 | 19040 | 19041 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
761401K6F4016U6G256Kx16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761402K6F4016U6G-F256Kx16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761403K6F4016V6C FAMILYFoaie de date RAM 256 CM x 16 biți cu putere redusă și tensiune scăzută CMOS completăSamsung Electronic
761404K6F4016V6D FAMILYFoaie de date RAM 256 CM x 16 biți cu putere redusă și tensiune scăzută CMOS completăSamsung Electronic
761405K6F8008S2M FAMILYFoaie de date RAM 1 CM x 8 biți cu putere redusă și tensiune scăzută CMOS completăSamsung Electronic
761406K6F8008U2M FAMILYFoaie de date RAM 1 CM x 8 biți cu putere redusă și tensiune scăzută CMOS completăSamsung Electronic
761407K6F8016R6A FAMILY512K x 16 biți Foaie tehnică RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761408K6F8016R6B512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761409K6F8016R6B FAMILY512K x 16 biți Foaie tehnică RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761410K6F8016R6B-F512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761411K6F8016R6D512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761412K6F8016R6D-F512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761413K6F8016R6M FAMILY512K x 16 biți Foaie de date RAM CMOS completă cu putere redusă și tensiune scăzutăSamsung Electronic
761414K6F8016S6A FAMILY512K x 16 biți Foaie tehnică RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761415K6F8016S6M FAMILY512K x 16 biți Foaie de date RAM CMOS completă cu putere redusă și tensiune scăzutăSamsung Electronic
761416K6F8016T6C512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761417K6F8016T6C-FF55512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761418K6F8016T6C-FF70512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761419K6F8016U6512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761420K6F8016U6D512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761421K6F8016U6D-FF55512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761422K6F8016U6D-FF70512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761423K6F8016U6D-XF55512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761424K6F8016U6D-XF70512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761425K6F8016V3A512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761426K6F8016V3A FAMILY512K x16 biți Foaie de date RAM CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761427K6F8016V3A-F512K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune redusăSamsung Electronic
761428K6F8016V3A-RF5555ns; V (cc): -0.2 la + 4.0V; 1W; Putere 512K x 16 biți foarte mic și joasă tensiune complet RAM static CMOSSamsung Electronic
761429K6F8016V3A-RF7070ns; V (cc): -0.2 la + 4.0V; 1W; Putere 512K x 16 biți foarte mic și joasă tensiune complet RAM static CMOSSamsung Electronic
761430K6F8016V3A-TF5555ns; V (cc): -0.2 la + 4.0V; 1W; Putere 512K x 16 biți foarte mic și joasă tensiune complet RAM static CMOSSamsung Electronic
761431K6F8016V3A-TF7070ns; V (cc): -0.2 la + 4.0V; 1W; Putere 512K x 16 biți foarte mic și joasă tensiune complet RAM static CMOSSamsung Electronic
761432K6L0908C2ARAM static de 64Kx8 biți CMOS cu putere redusăSamsung Electronic
761433K6L0908C2A-BRAM static de 64Kx8 biți CMOS cu putere redusăSamsung Electronic
761434K6L0908C2A-FRAM static de 64Kx8 biți CMOS cu putere redusăSamsung Electronic
761435K6L0908C2A-GB55RAM static de 64Kx8 biți CMOS cu putere redusăSamsung Electronic
761436K6L0908C2A-GB70RAM static de 64Kx8 biți CMOS cu putere redusăSamsung Electronic
761437K6L0908C2A-GF70RAM static de 64Kx8 biți CMOS cu putere redusăSamsung Electronic
761438K6L0908C2A-GL55RAM static de 64Kx8 biți CMOS cu putere redusăSamsung Electronic
761439K6L0908C2A-GL70RAM static de 64Kx8 biți CMOS cu putere redusăSamsung Electronic
761440K6L0908C2A-LRAM static de 64Kx8 biți CMOS cu putere redusăSamsung Electronic
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 19031 | 19032 | 19033 | 19034 | 19035 | 19036 | 19037 | 19038 | 19039 | 19040 | 19041 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com