| 761281 | K5A3X80YTC | MEMORIE MCP | Samsung Electronic |
| 761282 | K5C6417YTM/K5C6417YBM | 64M Bit (4Mx16) Foaie de date cu memorie flash Four Bank NOR | Samsung Electronic |
| 761283 | K5C6481NT(B)M | Fișă tehnică MEMORY a pachetului multi-chip | Samsung Electronic |
| 761284 | K5D5657ACM | 256 MB NAND și 256 MB SDRAM mobil | Samsung Electronic |
| 761285 | K5D5657ACM-F015 | 256 MB NAND și 256 MB SDRAM mobil | Samsung Electronic |
| 761286 | K5N07FM | öOMNIFETö: MOSFET DE PUTERE COMPLET AUTOPROTECTAT | SGS Thomson Microelectronics |
| 761287 | K5P2880YCM | Pachet multi-chip MEMORIE 128M bit 16Mx8 Nand memorie flash / 8M bit 1Mx8 / 512Kx16 complet CMOS SRAM | Samsung Electronic |
| 761288 | K5P2880YCM - T085 | 128M Bit (16Mx8) Nand Memorie Flash / Foaie de date | Samsung Electronic |
| 761289 | K5P2880YCM-T085 | 128M bit (16Mx8) memorie Flash NAND / 8M biți (1Mx8 / 512Kx16) SRAM complet CMOS | Samsung Electronic |
| 761290 | K5P6480YCM - T085 | 64M Bit (8Mx8) Nand Memorie Flash / Foaie de date | Samsung Electronic |
| 761291 | K5Q6432YCM - T010 | Fișă tehnică RAM statică completă CMOS cu tensiune de 64 de biți | Samsung Electronic |
| 761292 | K5T6432YBM-T310 | 64Mbit (4Mx16) patru labe bănci NOR Flash Memory / 32Mbit (2Mx16) UtRAM, 100ns | Samsung Electronic |
| 761293 | K5T6432YT | Pachet Multi-Chip MEMORIE 64M Bit 4Mx16 Patru Bănci NOR Memorie Flash / 32M Bit 2Mx16 UtRAM | Samsung Electronic |
| 761294 | K5T6432YTM-T310 | 64Mbit (4Mx16) patru labe bănci NOR Flash Memory / 32Mbit (2Mx16) UtRAM, 100ns | Samsung Electronic |
| 761295 | K621 | DIODE ZENER DE NIVEL SCAD GENUNC ASCUT, IMPEDANȚĂ SCĂZUTĂ | Knox Semiconductor Inc |
| 761296 | K64004C1D | 1Mx4 Bit High Speed Static RAM (5.0V de operare). Operat la intervale de temperatură comerciale si industriale. | Samsung Electronic |
| 761297 | K681 | DIODE ZENER DE NIVEL SCAD GENUNC ASCUT, IMPEDANȚĂ SCĂZUTĂ | Knox Semiconductor Inc |
| 761298 | K6E0808C1C | RAM static de 32Kx8 biți CMOS de mare viteză | Samsung Electronic |
| 761299 | K6E0808C1C-12 | RAM static de 32Kx8 biți CMOS de mare viteză | Samsung Electronic |
| 761300 | K6E0808C1C-15 | RAM static de 32Kx8 biți CMOS de mare viteză | Samsung Electronic |
| 761301 | K6E0808C1C-20 | RAM static de 32Kx8 biți CMOS de mare viteză | Samsung Electronic |
| 761302 | K6E0808C1C-C | RAM static de 32Kx8 biți CMOS de mare viteză | Samsung Electronic |
| 761303 | K6E0808C1E | RAM static de 32K x 8 biți CMOS de mare viteză statică | Samsung Electronic |
| 761304 | K6E0808C1E-C | RAM static de 32K x 8 biți CMOS de mare viteză statică | Samsung Electronic |
| 761305 | K6E0808C1E-C10 | RAM static de 32K x 8 biți CMOS de mare viteză statică | Samsung Electronic |
| 761306 | K6E0808C1E-C12 | RAM static de 32K x 8 biți CMOS de mare viteză statică | Samsung Electronic |
| 761307 | K6E0808C1E-C15 | RAM static de 32K x 8 biți CMOS de mare viteză statică | Samsung Electronic |
| 761308 | K6E0808C1E-I | RAM static de 32K x 8 biți CMOS de mare viteză statică | Samsung Electronic |
| 761309 | K6E0808C1E-I10 | RAM static de 32K x 8 biți CMOS de mare viteză statică | Samsung Electronic |
| 761310 | K6E0808C1E-I12 | RAM static de 32K x 8 biți CMOS de mare viteză statică | Samsung Electronic |
| 761311 | K6E0808C1E-I15 | RAM static de 32K x 8 biți CMOS de mare viteză statică | Samsung Electronic |
| 761312 | K6E0808C1E-L | RAM static de 32K x 8 biți CMOS de mare viteză statică | Samsung Electronic |
| 761313 | K6E0808C1E-P | RAM static de 32K x 8 biți CMOS de mare viteză statică | Samsung Electronic |
| 761314 | K6EB-110V | K-releu. Design unic releu. 6 formă de tensiune C. Coil 110 V DC. Plug-in și lipire. Releu de mare sensibilitate. Amber sigilate tip. | Matsushita Electric Works(Nais) |
| 761315 | K6F1008V2C | RAM static de 128Kx8 biți CMOS Super Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 761316 | K6F1008V2C-F | RAM static de 128Kx8 biți CMOS Super Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 761317 | K6F1008V2C-YF55 | RAM static de 128Kx8 biți CMOS Super Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 761318 | K6F1008V2C-YF70 | RAM static de 128Kx8 biți CMOS Super Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM | Samsung Electronic |
| 761319 | K6F1016U4C-EF55 | 64K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune scăzută | Samsung Electronic |
| 761320 | K6F1016U4C-EF70 | 64K x16 biți RAM statică CMOS completă cu putere redusă și tensiune scăzută | Samsung Electronic |
