| 71201 | 2N6519 | Tranzistor de înaltă tensiune 625mW | Micro Commercial Components |
| 71202 | 2N6519 | Tranzistori de înaltă tensiune | ON Semiconductor |
| 71203 | 2N6519 | PNP TRANSISTOR DE SILICIU EPITAXIAL | Samsung Electronic |
| 71204 | 2N6519 | Tranzistori de înaltă tensiune. Tensiune colector-emițător: Vceo = -300V. Tensiune colector-bază: VCBO = -300V. Disipare colector: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
| 71205 | 2N6519BU | PNP Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 71206 | 2N6519RLRA | Tranzistori de înaltă tensiune | ON Semiconductor |
| 71207 | 2N6519TA | PNP Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 71208 | 2N651A | Trans GP BJT PNP 0,5A | New Jersey Semiconductor |
| 71209 | 2N652 | Trans GP BJT PNP 0,5A | New Jersey Semiconductor |
| 71210 | 2N6520 | Tranzistor de semnal mic cu plumb Scop general | Central Semiconductor |
| 71211 | 2N6520 | 0.625W General Purpose PNP plastic cu plumb Transistor. 350V Vceo, 0.500A Ic, 20 - hFE | Continental Device India Limited |
| 71212 | 2N6520 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR | Diodes |
| 71213 | 2N6520 | PNP Transistor de siliciu epitaxial - tranzistor de înaltă tensiune | Fairchild Semiconductor |
| 71214 | 2N6520 | Ic = 500mA, VCE = 10V tranzistor | MCC |
| 71215 | 2N6520 | Tranzistor de înaltă tensiune 625mW | Micro Commercial Components |
| 71216 | 2N6520 | Tranzistori de înaltă tensiune | ON Semiconductor |
| 71217 | 2N6520 | PNP TRANSISTOR DE SILICIU EPITAXIAL | Samsung Electronic |
| 71218 | 2N6520 | Tranzistori de înaltă tensiune. Tensiune colector-emițător: Vceo = -350V. Tensiune colector-bază: VCBO = -350V. Disipare colector: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
| 71219 | 2N6520 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR | Zetex Semiconductors |
| 71220 | 2N6520BU | PNP Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 71221 | 2N6520RL1 | Tranzistori de înaltă tensiune | ON Semiconductor |
| 71222 | 2N6520RLRA | Tranzistori de înaltă tensiune | ON Semiconductor |
| 71223 | 2N6520RLRM | Tranzistori de înaltă tensiune | ON Semiconductor |
| 71224 | 2N6520TA | PNP Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 71225 | 2N652A | Trans GP BJT PNP 0,5A | New Jersey Semiconductor |
| 71226 | 2N653 | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A cu 3 pini TO-92 | New Jersey Semiconductor |
| 71227 | 2N6530 | Tranzistor de putere cu plumb Darlington | Central Semiconductor |
| 71228 | 2N6530 | 8 A NPN Darlington tranzistor de putere. 80 V. 60 W. Gain din 1000 la 5 A. | General Electric Solid State |
| 71229 | 2N6530 | Trans GP BJT NPN 80V 8A cu 3 pini (2 + Tab) TO-66 | New Jersey Semiconductor |
| 71230 | 2N6530 | Pachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-220 | Savantic |
| 71231 | 2N6531 | Tranzistor de putere cu plumb Darlington | Central Semiconductor |
| 71232 | 2N6531 | 8 A NPN Darlington tranzistor de putere. 100 V. 60 W. creștere de 500 la 3 A. | General Electric Solid State |
| 71233 | 2N6531 | Trans GP BJT NPN 80V 8A cu 3 pini (2 + Tab) TO-66 | New Jersey Semiconductor |
| 71234 | 2N6531 | Pachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-220 | Savantic |
| 71235 | 2N6532 | Tranzistor de putere cu plumb Darlington | Central Semiconductor |
| 71236 | 2N6532 | 8 A NPN Darlington tranzistor de putere. 100 V. 60 W. Gain din 1000 la 5 A. | General Electric Solid State |
| 71237 | 2N6532 | Trans GP BJT NPN 80V 8A cu 3 pini (2 + Tab) TO-66 | New Jersey Semiconductor |
| 71238 | 2N6532 | Pachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-220 | Savantic |
| 71239 | 2N6533 | Tranzistor de putere cu plumb Darlington | Central Semiconductor |
| 71240 | 2N6533 | 8 A NPN Darlington tranzistor de putere. 120 V. 60 W. Gain din 1000 la 3 A. | General Electric Solid State |
