| 71161 | 2N6514 | Pachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-3 | Savantic |
| 71162 | 2N6515 | Tranzistor de semnal mic cu plumb Scop general | Central Semiconductor |
| 71163 | 2N6515 | 0.625W General Purpose NPN Transistor plastic cu plumb. 250V Vceo, 0.500A Ic, 35 - hFE | Continental Device India Limited |
| 71164 | 2N6515 | Tranzistor epitaxial din siliciu NPN - tranzistor de înaltă tensiune | Fairchild Semiconductor |
| 71165 | 2N6515 | Ic = 500mA, VCE = 10V tranzistor | MCC |
| 71166 | 2N6515 | Tranzistor de înaltă tensiune 625mW | Micro Commercial Components |
| 71167 | 2N6515 | Tranzistori de înaltă tensiune | ON Semiconductor |
| 71168 | 2N6515 | Tranzistori de înaltă tensiune. Tensiune colector-emițător: 250V = Vceo. Tensiune colector-bază: 250V = VCBO. Disipare colector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 71169 | 2N6515-D | Tranzistori de înaltă tensiune | ON Semiconductor |
| 71170 | 2N6515RLRM | Tranzistori de înaltă tensiune | ON Semiconductor |
| 71171 | 2N6516 | Tranzistor de semnal mic cu plumb Scop general | Central Semiconductor |
| 71172 | 2N6516 | 0.625W General Purpose NPN Transistor plastic cu plumb. 300V Vceo, 0.500A Ic, 30 - hFE | Continental Device India Limited |
| 71173 | 2N6516 | Tranzistor epitaxial din siliciu NPN - tranzistor de înaltă tensiune | Fairchild Semiconductor |
| 71174 | 2N6516 | NPN TRANSISTOR DE SILICIU EPITAXIAL | Samsung Electronic |
| 71175 | 2N6516 | Tranzistori de înaltă tensiune. Tensiune colector-emițător: 250V = Vceo. Tensiune colector-bază: 250V = VCBO. Disipare colector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 71176 | 2N6517 | Tranzistor de semnal mic cu plumb Scop general | Central Semiconductor |
| 71177 | 2N6517 | 0.625W General Purpose NPN Transistor plastic cu plumb. 350V Vceo, 0.500A Ic, 20 - hFE | Continental Device India Limited |
| 71178 | 2N6517 | Tranzistor epitaxial din siliciu NPN - tranzistor de înaltă tensiune | Fairchild Semiconductor |
| 71179 | 2N6517 | Ic = 500mA, VCE = 10V tranzistor | MCC |
| 71180 | 2N6517 | Tranzistor de înaltă tensiune 625mW | Micro Commercial Components |
| 71181 | 2N6517 | Tranzistori de înaltă tensiune | ON Semiconductor |
| 71182 | 2N6517 | NPN TRANSISTOR DE SILICIU EPITAXIAL | Samsung Electronic |
| 71183 | 2N6517 | Tranzistori de înaltă tensiune. Tensiune colector-emițător: 350V = Vceo. Tensiune colector-bază: 350V = VCBO. Disipare colector: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 71184 | 2N6517 | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR | Zetex Semiconductors |
| 71185 | 2N6517BU | NPN Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 71186 | 2N6517CBU | NPN Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 71187 | 2N6517CTA | NPN Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 71188 | 2N6517RLRA | Tranzistori de înaltă tensiune | ON Semiconductor |
| 71189 | 2N6517RLRP | Tranzistori de înaltă tensiune | ON Semiconductor |
| 71190 | 2N6517TA | NPN Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 71191 | 2N6518 | Tranzistor de semnal mic cu plumb Scop general | Central Semiconductor |
| 71192 | 2N6518 | PNP Transistor de siliciu epitaxial - tranzistor de înaltă tensiune | Fairchild Semiconductor |
| 71193 | 2N6518 | PNP TRANSISTOR DE SILICIU EPITAXIAL | Samsung Electronic |
| 71194 | 2N6518 | Tranzistori de înaltă tensiune. Tensiune colector-emițător: Vceo = -250V. Tensiune colector-bază: VCBO = -250V. Disipare colector: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
| 71195 | 2N6518BU | PNP Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 71196 | 2N6518TA | PNP Epitaxial Silicon Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 71197 | 2N6519 | Tranzistor de semnal mic cu plumb Scop general | Central Semiconductor |
| 71198 | 2N6519 | 0.625W General Purpose PNP plastic cu plumb Transistor. 300V Vceo, 0.500A Ic, 30 - hFE | Continental Device India Limited |
| 71199 | 2N6519 | PNP Transistor de siliciu epitaxial - tranzistor de înaltă tensiune | Fairchild Semiconductor |
| 71200 | 2N6519 | Ic = 500mA, VCE = 10V tranzistor | MCC |
