|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 6995 | 6996 | 6997 | 6998 | 6999 | 7000 | 7001 | 7002 | 7003 | 7004 | 7005 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
279961BD242A70 V PNP Silicon Power TransistorTRANSYS Electronics Limited
279962BD242APNP SILICON POWER TRANSISTORTRSYS
279963BD242APNP plastic siliciu putere tranzistor. Conceput pentru utilizare în comutare și de amplificare aplicații de uz general. Vceo = 60VDC, VCES = 70Vdc, Veb = 5VDC Ic = 3Adc, PD = 40W.USHA India LTD
279964BD242ATUPNP Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
279965BD242BTRANSISTORE DE PUTENȚĂ PLASTICĂ DIN SILICIU COMPLEMENTARBoca Semiconductor Corporation
279966BD242BPNP Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
279967BD242BEpitaxial-bază de siliciu PNP VERSAWATT tranzistor. Vcer -90V, 40W.General Electric Solid State
279968BD242BPNP SILICON TRANSITORII DE PUTERE DE BAZĂ EPITAXIALĂMicro Electronics
279969BD242BTRANSISTORE DE PUTERE (3A, 40W)MOSPEC Semiconductor
279970BD242BTranzistori de putere complementari din siliciu din plasticMotorola
279971BD242BTrans GP BJT PNP 80V 3A cu 3 pini (3 + Tab) TO-220AB în vracNew Jersey Semiconductor
279972BD242BPutere 3A 80V PNPON Semiconductor
279973BD242BTRANSISTORE DE PUTERE SILICON PNPPower Innovations
279974BD242BPachet tranzistori de putere PNP silicon TO-220CSavantic
279975BD242BTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
279976BD242BTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
279977BD242BTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTAREST Microelectronics
279978BD242B90 V PNP Silicon Power TransistorTRANSYS Electronics Limited
279979BD242BPNP SILICON POWER TRANSISTORTRSYS
279980BD242BPNP plastic siliciu putere tranzistor. Conceput pentru utilizare în comutare și de amplificare aplicații de uz general. Vceo = 80Vdc, VCES = 90Vdc, Veb = 5VDC Ic = 3Adc, PD = 40W.USHA India LTD
279981BD242BFPTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
279982BD242BFPTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
279983BD242BFPTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTAREST Microelectronics
279984BD242CTRANSISTORE DE PUTENȚĂ PLASTICĂ DIN SILICIU COMPLEMENTARBoca Semiconductor Corporation
279985BD242CPNP Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
279986BD242CEpitaxial-bază de siliciu PNP VERSAWATT tranzistor. Vcer -115V, 40W.General Electric Solid State
279987BD242CTRANSISTORE DE PUTERE (3A, 40W)MOSPEC Semiconductor
279988BD242CTranzistori de putere complementari din siliciu din plasticMotorola
279989BD242CTrans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin (3 + Tab) Șină TO-220ABNew Jersey Semiconductor
279990BD242CPutere 3A 100V PNPON Semiconductor
279991BD242CTRANSISTORE DE PUTERE SILICON PNPPower Innovations
279992BD242CPachet tranzistori de putere PNP silicon TO-220CSavantic
279993BD242CTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
279994BD242CTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
279995BD242CTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTAREST Microelectronics
279996BD242C115 V, siliciu PNP tranzistor de putereTRANSYS Electronics Limited
279997BD242CPNP SILICON POWER TRANSISTORTRSYS
279998BD242CPNP plastic siliciu putere tranzistor. Conceput pentru utilizare în comutare și de amplificare aplicații de uz general. Vceo = 100VDC, VCES = 115Vdc, Veb = 5VDC Ic = 3Adc, PD = 40W.USHA India LTD
279999BD242CTUPNP Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
280000BD242DTrans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin (3 + Tab) Șină TO-220ABNew Jersey Semiconductor
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 6995 | 6996 | 6997 | 6998 | 6999 | 7000 | 7001 | 7002 | 7003 | 7004 | 7005 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com