|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 6993 | 6994 | 6995 | 6996 | 6997 | 6998 | 6999 | 7000 | 7001 | 7002 | 7003 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
279881BD24155 V NPN putere de siliciu tranzistorTRANSYS Electronics Limited
279882BD241NPN SILICON POWER TRANSISTORTRSYS
279883BD241ATRANSISTORE DE PUTENȚĂ PLASTICĂ DIN SILICIU COMPLEMENTARBoca Semiconductor Corporation
279884BD241ANPN Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
279885BD241AEpitaxial-bază de siliciu NPN VERSAWATT tranzistor. Vcer 70V, 40W.General Electric Solid State
279886BD241ANPN SILICON TRANSITORII DE PUTERE DE BAZĂ EPITAXIALĂMicro Electronics
279887BD241ATRANSISTORE DE PUTERE (3A, 40W)MOSPEC Semiconductor
279888BD241ATrans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin (3 + Tab) Tub TO-220New Jersey Semiconductor
279889BD241ANPN SILICON TRANSISTORS POWERPower Innovations
279890BD241APachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-220CSavantic
279891BD241ATRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
279892BD241ATRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
279893BD241ATRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTAREST Microelectronics
279894BD241A70 V NPN putere de siliciu tranzistorTRANSYS Electronics Limited
279895BD241ANPN SILICON POWER TRANSISTORTRSYS
279896BD241ANPN Silicon Power tranzistor plastic. Conceput pentru utilizare în comutare și de amplificare aplicații de uz general. Vceo = 60VDC, VCES = 70Vdc, Veb = 5VDC, Ic = 3Adc, Pd = 40WUSHA India LTD
279897BD241ATUNPN Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
279898BD241BTRANSISTORE DE PUTENȚĂ PLASTICĂ DIN SILICIU COMPLEMENTARBoca Semiconductor Corporation
279899BD241BNPN Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
279900BD241BEpitaxial-bază de siliciu NPN VERSAWATT tranzistor. Vcer 90V, 40W.General Electric Solid State
279901BD241BNPN SILICON TRANSITORII DE PUTERE DE BAZĂ EPITAXIALĂMicro Electronics
279902BD241BTRANSISTORE DE PUTERE (3A, 40W)MOSPEC Semiconductor
279903BD241BTranzistori de putere complementari din siliciu din plasticMotorola
279904BD241BTrans GP BJT NPN 80V 3A cu 3 pini (3 + Tab) TO-220New Jersey Semiconductor
279905BD241BSILICON COMPLEMENTAR AL TRANSISTORELOR DE PUTEREON Semiconductor
279906BD241BNPN SILICON TRANSISTORS POWERPower Innovations
279907BD241BPachet tranzistori de putere NPN siliciu TO-220CSavantic
279908BD241BTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
279909BD241BTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
279910BD241BTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTAREST Microelectronics
279911BD241B90 V NPN putere de siliciu tranzistorTRANSYS Electronics Limited
279912BD241BNPN SILICON POWER TRANSISTORTRSYS
279913BD241BNPN plastic siliciu NPN tranzistor de putere. Conceput pentru utilizare în comutare și de amplificare aplicații de uz general. Vceo = 80Vdc, VCES = 90Vdc, Veb = 5VDC, Ic = 3Adc, Pd = 40WUSHA India LTD
279914BD241BFPTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
279915BD241BFPTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTARESGS Thomson Microelectronics
279916BD241BFPTRANSISTORE DE PUTERE SILICONICE COMPLEMENTAREST Microelectronics
279917BD241BTUNPN Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
279918BD241CTRANSISTORE DE PUTENȚĂ PLASTICĂ DIN SILICIU COMPLEMENTARBoca Semiconductor Corporation
279919BD241CNPN Epitaxial Silicon TransistorFairchild Semiconductor
279920BD241CEpitaxial-bază de siliciu NPN VERSAWATT tranzistor. Vcer 115V, 40W.General Electric Solid State
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 6993 | 6994 | 6995 | 6996 | 6997 | 6998 | 6999 | 7000 | 7001 | 7002 | 7003 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com