|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 29421 | 29422 | 29423 | 29424 | 29425 | 29426 | 29427 | 29428 | 29429 | 29430 | 29431 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1177001MTD3055VMOSFET de putere 12 amperi, DPAK 60 Volți N-ChannelON Semiconductor
1177002MTD3055V-DMOSFET de putere 12 amperi, DPAK 60 Volți N-ChannelON Semiconductor
1177003MTD3055V1Putere MOSFET 12 amp, 60 volțiON Semiconductor
1177004MTD3055VLTranzistor cu efect de câmp în modul de îmbunătățire a nivelului logic al canalului NFairchild Semiconductor
1177005MTD3055VLTMOS POWER FET 12 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,18 OHMMotorola
1177006MTD3055VLMOSFET de putere 12 Amperi, 60 de voltiON Semiconductor
1177007MTD3055VL-DMOSFET de putere 12 amperi, DPAK 60 Volți N-ChannelON Semiconductor
1177008MTD3055VL1MOSFET de putere 12 Amperi, 60 de voltiON Semiconductor
1177009MTD3055VLT4MOSFET de putere 12 Amperi, 60 de voltiON Semiconductor
1177010MTD3055VT4Putere MOSFET 12 amp, 60 volțiON Semiconductor
1177011MTD3302MOSFET PUTERE SINGURĂ 30 VOLȚI RDS (pornit) = 10 mohmMotorola
1177012MTD3302OBOSLETE - REPLACEMENT P / N # - NTD4302ON Semiconductor
1177013MTD3302-DMOSFET de putere 18 amperi, 30 volți canal N DPAKON Semiconductor
1177014MTD392NInterfață de emisie-recepție coaxialMYSON TECHNOLOGY
1177015MTD392VInterfață de emisie-recepție coaxialMYSON TECHNOLOGY
1177016MTD393NInterfață de emisie-recepție coaxialMYSON TECHNOLOGY
1177017MTD393VInterfață de emisie-recepție coaxialMYSON TECHNOLOGY
1177018MTD394NInterfață de emisie-recepție coaxialMYSON TECHNOLOGY
1177019MTD394VInterfață de emisie-recepție coaxialMYSON TECHNOLOGY
1177020MTD3N25ETMOS POWER FET 3 AMPERI 250 VOLȚI RDS (pornit) = 1,4 OHMMotorola
1177021MTD3N25E3 Amp DPAK Surface Mount Products, N-Channel, Vdss 250ON Semiconductor
1177022MTD3N25E-DTranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET DPAK pentru montare pe suprafață Poartă din silicon în modul de îmbunătățire a canalului NON Semiconductor
1177023MTD4848 Pachet de schiță mică, subțire, sub formă de termofonare, JEDECNational Semiconductor
1177024MTD492Interfață emițător-receptor coaxialMYSON TECHNOLOGY
1177025MTD492NInterfață de emisie-recepție coaxialMYSON TECHNOLOGY
1177026MTD492VInterfață de emisie-recepție coaxialMYSON TECHNOLOGY
1177027MTD4N20ETMOS POWER FET 4.0 AMPERI 200 VOLȚI RDS (pornit) = 1,2 OHMMotorola
1177028MTD4N20EINVECHITE - MOSFET de putere 4 amperi, 200 de voltiON Semiconductor
1177029MTD4N20E-DMOSFET de putere 4 amperi, 200 volți canal N DPAKON Semiconductor
1177030MTD4P05TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTEREMotorola
1177031MTD4P06TRANSISTOR DE EFECT DE CÂMP DE PUTEREMotorola
1177032MTD5010MDiodă foto de mare vitezăMarktech Optoelectronics
1177033MTD502EF2 porturi 10M Comutator / 100M cu memorie build_inMYSON TECHNOLOGY
1177034MTD502EG2 porturi 10M Comutator / 100M cu memorie build_inMYSON TECHNOLOGY
1177035MTD5055 Port 10M / 100M comutator EthernetMYSON TECHNOLOGY
1177036MTD5088 porturi 10M / 100M comutator EthernetMYSON TECHNOLOGY
1177037MTD51616 Port 10M / 100M comutator EthernetMYSON TECHNOLOGY
1177038MTD5656 Pachetul contur mic, sub formă de termofonare, sub formă de plumb, JEDECNational Semiconductor
1177039MTD5N25ETMOS POWER FET 5,0 AMPERI 250 VOLȚI RDS (pornit) = 1,0 OHMMotorola
1177040MTD5N25E5 Amp DPAK Surface Mount Products, N-Channel, Vdss 250ON Semiconductor
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 29421 | 29422 | 29423 | 29424 | 29425 | 29426 | 29427 | 29428 | 29429 | 29430 | 29431 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com