| 1176961 | MTD20P03HDL1 | MOSFET de putere 20 Amperi, 30 Volți, Nivel logic P-Channel DPAK | ON Semiconductor |
| 1176962 | MTD20P03HDL1G | MOSFET de putere 20 Amperi, 30 Volți, Nivel logic P-Channel DPAK | ON Semiconductor |
| 1176963 | MTD20P03HDLG | MOSFET de putere 20 Amperi, 30 Volți, Nivel logic P-Channel DPAK | ON Semiconductor |
| 1176964 | MTD20P03HDLT4 | MOSFET de putere 20 Amperi, 30 Volți, Nivel logic P-Channel DPAK | ON Semiconductor |
| 1176965 | MTD20P03HDLT4G | MOSFET de putere 20 Amperi, 30 Volți, Nivel logic P-Channel DPAK | ON Semiconductor |
| 1176966 | MTD20P06 | NIVEL LOGIC TMET POWER FET 15 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 175 MOHM | Motorola |
| 1176967 | MTD20P06HDL | NIVEL LOGIC TMET POWER FET 15 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 175 MOHM | Motorola |
| 1176968 | MTD20P06HDL | MOSFET de putere 20 Amperi, 60 de volti, Logic Level | ON Semiconductor |
| 1176969 | MTD20P06HDL-D | MOSFET de putere 20 Amperi, 60 Volți, Nivel logic P-Channel DPAK | ON Semiconductor |
| 1176970 | MTD20P06HDLG | MOSFET de putere 20 Amperi, 60 de volti, Logic Level | ON Semiconductor |
| 1176971 | MTD20P06HDLT4 | MOSFET de putere 20 Amperi, 60 de volti, Logic Level | ON Semiconductor |
| 1176972 | MTD20P06HDLT4G | MOSFET de putere 20 Amperi, 60 de volti, Logic Level | ON Semiconductor |
| 1176973 | MTD214 | Encoder Ethernet / decodor și 10 BaseT de emisie-recepție | MYSON TECHNOLOGY |
| 1176974 | MTD2955E | TMOS POWER FET 12 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,3 OHM | Motorola |
| 1176975 | MTD2955E | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET DPAK pentru montare pe suprafață | ON Semiconductor |
| 1176976 | MTD2955E-1 | TMOS FET de putere. 60 V, 12 A, Rds (on) 0,3 Ohm. | Motorola |
| 1176977 | MTD2955E-D | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET DPAK pentru montare pe suprafață Poartă din silicon în modul îmbunătățire a canalului P | ON Semiconductor |
| 1176978 | MTD2955ET4 | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS E-FET DPAK pentru montare pe suprafață | ON Semiconductor |
| 1176979 | MTD2955V | P-canal Mode Enhancement efect de câmp tranzistor [Life-time buy] | Fairchild Semiconductor |
| 1176980 | MTD2955V | TMOS POWER FET 12 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,230 OHM | Motorola |
| 1176981 | MTD2955V | Migrați la NTD2955 - Disponibil acum | ON Semiconductor |
| 1176982 | MTD2955V-D | Putere MOSFET 12 Amperi, 60 volți P-Channel DPAK | ON Semiconductor |
| 1176983 | MTD2955V1 | Migrați la NTD2955 - Disponibil acum | ON Semiconductor |
| 1176984 | MTD2955V1G | Migrați la NTD2955 - Disponibil acum | ON Semiconductor |
| 1176985 | MTD2955VG | Migrați la NTD2955 - Disponibil acum | ON Semiconductor |
| 1176986 | MTD2955VT4 | Migrați la NTD2955 - Disponibil acum | ON Semiconductor |
| 1176987 | MTD2955VT4G | Migrați la NTD2955 - Disponibil acum | ON Semiconductor |
| 1176988 | MTD2N40E | TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 400 VOLTS RDS (pornit) = 3,5 OHM | Motorola |
| 1176989 | MTD2N40E | MOSFET de putere 2 amperi, 400 de volti | ON Semiconductor |
| 1176990 | MTD2N40E-D | MOSFET de putere 2 amperi, 400 volți canal N DPAK | ON Semiconductor |
| 1176991 | MTD2N50E | TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS (pornit) = 3,6 OHM | Motorola |
| 1176992 | MTD2N50E | INVECHITE - MOSFET de putere 2 amperi, 500 de volti | ON Semiconductor |
| 1176993 | MTD2N50E-D | MOSFET de putere 2 amperi, 500 volți N-Channel DPAK | ON Semiconductor |
| 1176994 | MTD3010PM | Foto diodă | Marktech Optoelectronics |
| 1176995 | MTD3055E | TMOS FET de putere. 60 V, 8 A, Rds (on) 0,15 Ohm. | Motorola |
| 1176996 | MTD3055E1 | TMOS FET de putere. 60 V, 8 A, Rds (on) 0,15 Ohm. | Motorola |
| 1176997 | MTD3055EL | Tranzistor cu efect de câmp de putere TMOS IV (Poartă de silicon în modul N-Channel Enhancement-Mode) | Motorola |
| 1176998 | MTD3055EL1 | TMOS MOSFET de putere la nivel logic. 60 V, 10 A, Rds (on) 0,18 Ohm. | Motorola |
| 1176999 | MTD3055V | N-Channel Mode Enhancement efect de câmp tranzistor | Fairchild Semiconductor |
| 1177000 | MTD3055V | TMOS POWER FET 12 AMPERI 60 VOLȚI RDS (pornit) = 0,15 OHM | Motorola |
