|   Prima pagină   |   Producători   |   După Funcție   |  
EN FR DE ES IT PT RU

   
Salt rapid: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA
LM317 LM339 MAX232 NE555 LM324 8051 7805 2N3055 LM358 2N2222 74LS138 TDA7294 TL431 IRF540 1N4148 AD590


Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 29412 | 29413 | 29414 | 29415 | 29416 | 29417 | 29418 | 29419 | 29420 | 29421 | 29422 | >>
Nr.NumeDescriereProducător
1176641MTB30P06TMOS POWER FET 30 AMPERI 60 VOLȚIMotorola
1176642MTB30P06VTMOS POWER FET 30 AMPERI 60 VOLȚIMotorola
1176643MTB30P06VMOSFET de putere 30 Amperi, 60 VolțiON Semiconductor
1176644MTB30P06VMOSFET de putere 30 Amperi, 60 VolțiON Semiconductor
1176645MTB30P06V-DPutere MOSFET 30 Amperi, 60 Volți P-Channel D2PAKON Semiconductor
1176646MTB30P06VGMOSFET de putere 30 Amperi, 60 VolțiON Semiconductor
1176647MTB30P06VGMOSFET de putere 30 Amperi, 60 VolțiON Semiconductor
1176648MTB30P06VT4MOSFET de putere 30 Amperi, 60 VolțiON Semiconductor
1176649MTB30P06VT4MOSFET de putere 30 Amperi, 60 VolțiON Semiconductor
1176650MTB30P06VT4GMOSFET de putere 30 Amperi, 60 VolțiON Semiconductor
1176651MTB30P06VT4GMOSFET de putere 30 Amperi, 60 VolțiON Semiconductor
1176652MTB33N10ETMOS POWER FET 33 AMPERI 100 VOLȚIMotorola
1176653MTB33N10EMOSFET de putere 33 amperi, 100 de voltiON Semiconductor
1176654MTB33N10E-DMOSFET de putere 33 Amperi, 100 volți canal N D2PAKON Semiconductor
1176655MTB36N06ETMOS POWER FET 36 AMPERI 60 VOLȚIMotorola
1176656MTB36N06VTMOS POWER FET 32 AMPERI 60 VOLȚIMotorola
1176657MTB36N06VMOSFET de putere 32 Amperi, 60 VolțiON Semiconductor
1176658MTB36N06VMOSFET de putere 32 Amperi, 60 VolțiON Semiconductor
1176659MTB36N06V-DPutere MOSFET 32 Amperi, 60 Volți N-Channel D2PAKON Semiconductor
1176660MTB36N06VT4MOSFET de putere 32 Amperi, 60 VolțiON Semiconductor
1176661MTB36N06VT4MOSFET de putere 32 Amperi, 60 VolțiON Semiconductor
1176662MTB3N100ETMOS POWER FET 3.0 AMPERI 1000 VOLȚIMotorola
1176663MTB3N100E2 Amp D2PAK Surface Mount Products, N-Channel, Vdss 1000ON Semiconductor
1176664MTB3N100E-DTMOS E-FET FET D2PAK de înaltă energie pentru montare pe suprafață Poartă din silicon cu îmbunătățire a canalului NON Semiconductor
1176665MTB3N120ETMOS POWER FET 3.0 AMPERI 1200 VOLȚIMotorola
1176666MTB3N120E-DTMOS E-FET FET D2PAK de înaltă energie pentru montare pe suprafață Poartă din silicon cu îmbunătățire a canalului NON Semiconductor
1176667MTB3N60ETMOS POWER FET 3.0 AMPERI 600 VOLȚIMotorola
1176668MTB3N60ED2PAK pentru Surface Mount N-Channel Enhancement-Mode Silicon GateON Semiconductor
1176669MTB3N60E-DTMOS E-FET FET D2PAK de înaltă energie pentru montare pe suprafață Poartă din silicon cu îmbunătățire a canalului NON Semiconductor
1176670MTB40N10ETMOS POWER FET 40 AMPERI 100 VOLȚIMotorola
1176671MTB40N10EMOSFET de putere 40 amperi, 100 de voltiON Semiconductor
1176672MTB40N10E-DMOSFET de putere 40 Amperi, 100 volți canal N D2PAKON Semiconductor
1176673MTB40N10ET4MOSFET de putere 40 amperi, 100 de voltiON Semiconductor
1176674MTB4N80ETMOS POWER FET 4.0 AMPERI 800 VOLȚIMotorola
1176675MTB4N80EOBSOLETE - 800 V, 4 A, POWER FETON Semiconductor
1176676MTB4N80E-DTMOS E-FET FET D2PAK de înaltă energie pentru montare pe suprafață Poartă din silicon cu îmbunătățire a canalului NON Semiconductor
1176677MTB4N80E1TMOS POWER FET 4.0 AMPERI 800 VOLȚIMotorola
1176678MTB4N80E1OBSOLETE - N-Channel Enhancement-Mode Silicon GateON Semiconductor
1176679MTB4N80E1-DTMOS E-FET Putere înaltă energie FET D2PAK-SL Poartă din silicon în mod N-Canal de îmbunătățire a plumbului dreptON Semiconductor
1176680MTB5000-GMatrice de lămpi cu LED-uriMarktech Optoelectronics
Datasheet-uri găsite :: 1675338
Pagina: << | 29412 | 29413 | 29414 | 29415 | 29416 | 29417 | 29418 | 29419 | 29420 | 29421 | 29422 | >>

View this page in english


© 2023    www.datasheetcatalog.com