MTB4N80E1 este fabricat de:
|
TMOS POWER FET 4.0 AMPERI 800 VOLȚI | Downloadează sau descarcă MTB4N80E1 datasheet de la Motorola |
pdf 167 kb |
|
OBSOLETE - N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate | Downloadează sau descarcă MTB4N80E1 datasheet de la ON Semiconductor |
PDF 194 kb |
MTB4N80E-D | Vezi MTB4N80E1 în catalogul nostru | MTB4N80E1-D |